IPD50R280CE 是一款由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的功率 MOSFET 芯片,采用 Trench 技術制造。該芯片屬于 OptiMOS 系列,具有低導通電阻、高效率和優(yōu)異的開關性能,適用于各種功率轉換應用。其封裝形式為 PQFN3x3-16L 封裝,能夠有效降低寄生電感,提升系統(tǒng)可靠性。
該器件特別適合于需要高效能和小尺寸解決方案的應用場景,例如 DC-DC 轉換器、負載點電源 (POL) 和電池管理系統(tǒng) (BMS)。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:54A
導通電阻(典型值):2.8mΩ
柵極電荷(典型值):9nC
開關速度:快速
工作結溫范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:PQFN3x3-16L
IPD50R280CE 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻,有助于減少導通損耗并提高整體效率。
2. 快速開關性能,可以實現(xiàn)高頻操作,從而減小無源元件的體積和重量。
3. 高電流處理能力,支持高達 54A 的連續(xù)漏極電流。
4. 小型 PQFN3x3-16L 封裝設計,有助于節(jié)省 PCB 空間。
5. 寬廣的工作溫度范圍(-55℃ 至 +175℃),適應多種惡劣環(huán)境條件。
6. 內(nèi)置 ESD 保護功能,增強系統(tǒng)的可靠性。
IPD50R280CE 廣泛應用于以下領域:
1. 工業(yè)設備中的 DC-DC 轉換器。
2. 筆記本電腦和服務器的負載點電源 (POL)。
3. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制。
4. 汽車電子中的電機驅動和電源管理。
5. 高效節(jié)能的通信電源模塊。
6. 各類便攜式電子設備的電源管理單元。
IPD50R250CE
IPD40R280CE
BSC016N06NS3