IPD60N10S4L-12是一款基于硅技�(shù)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)用。其�(shè)�(jì)目標(biāo)是提高效率并降低能�,非常適合于需要高性能和高可靠性的�(chǎng)合�
該MOSFET采用先�(jìn)的制造工�,確保了其在高電流和高頻條件下依然保持優(yōu)異性能。其封裝形式為TO-220AB,這種封裝形式有助于散熱并提供良好的電氣連接�
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏極電流�60A
�(dǎo)通電阻:3.8mΩ(典型值)
柵極電荷�55nC(典型值)
輸入電容�1500pF(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
總功耗:175W
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用需求�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)器件的耐用性和可靠性�
4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,優(yōu)化了�(xù)流性能�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
6. 良好的熱性能和電氣性能,適合苛刻的工作�(huán)��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路中的功率�(jí)元件�
3. 逆變器和太陽能逆變系統(tǒng)的功率模塊�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制開關(guān)�
6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
IPD60N10S3G-12, IRF640N