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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD60R1K4C6

IPD60R1K4C6 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 13:51:08 查看 閱讀�21

IPD60R1K4C6是一種高性能的功率MOSFET器件,采用先�(jìn)的制程技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)。該器件適用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用場�。其封裝形式為TO-220,適合于高電流和高電壓的工作�(huán)��
  該MOSFET采用了優(yōu)化的芯片�(shè)�(jì),能夠顯著降低導(dǎo)通損耗,從而提升整體系�(tǒng)的效�。同�(shí),它還具備良好的熱性能和電氣性能,確保在�(yán)苛的�(yīng)用條件下�(wěn)定工��

參數(shù)

型號:IPD60R1K4C6
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(V_DS)�60V
  最大柵源電�(V_GS):�20V
  最大漏極電�(I_D)�27A
  �(dǎo)通電�(R_DS(on))�1.4mΩ(典型值,在V_GS=10V�(shí)�
  總柵極電�(Q_g)�98nC
  開關(guān)速度:快速開�(guān)
  工作溫度范圍(T_j)�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-220

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(R_DS(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高雪崩能�,增�(qiáng)了器件的魯棒性和可靠��
  3. 快速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
  4. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下保持高效�(yùn)��
  5. 采用TO-220�(biāo)�(zhǔn)封裝,便于散熱設(shè)�(jì)和安裝�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元件�
  3. 電機(jī)�(qū)動電路中的控制開�(guān)�
  4. 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 工業(yè)�(shè)備中的功率管理模��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開�(guān)�(yīng)��

替代型號

IRF640N, IRFP240, STP60NF06

ipd60r1k4c6推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

ipd60r1k4c6參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD60R1K4C6
  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列CoolMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.4 歐姆 @ 1.1A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3.5V @ 90µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs9.4nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds200pF @ 100V
  • 功率 - 最�28.4W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD60R1K4C6TRSP000799134