時(shí)間：2025/5/16 13:51:08
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IPD60R1K4C6是一種高性能的功率MOSFET器件，采用先進(jìn)的制程技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)。該器件適用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動以及負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用場合。其封裝形式為TO-220，適合于高電流和高電壓的工作環(huán)境。
該MOSFET采用了優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì)，能夠顯著降低導(dǎo)通損耗，從而提升整體系統(tǒng)的效率。同時(shí)，它還具備良好的熱性能和電氣性能，確保在嚴(yán)苛的應(yīng)用條件下穩(wěn)定工作。
型號：IPD60R1K4C6
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(V_DS)：60V
最大柵源電壓(V_GS)：±20V
最大漏極電流(I_D)：27A
導(dǎo)通電阻(R_DS(on))：1.4mΩ（典型值，在V_GS=10V時(shí)）
總柵極電荷(Q_g)：98nC
開關(guān)速度：快速開關(guān)
工作溫度范圍(T_j)：-55℃至+175℃
封裝形式：TO-220
1. 極低的導(dǎo)通電阻（R_DS(on)），有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 高雪崩能力，增強(qiáng)了器件的魯棒性和可靠性。
3. 快速開關(guān)性能，支持高頻應(yīng)用。
4. 良好的熱穩(wěn)定性，能夠在高溫環(huán)境下保持高效運(yùn)行。
5. 采用TO-220標(biāo)準(zhǔn)封裝，便于散熱設(shè)計(jì)和安裝。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)需求。
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動電路中的控制開關(guān)。
4. 各類負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
5. 工業(yè)設(shè)備中的功率管理模塊。
6. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開關(guān)應(yīng)用。
IRF640N, IRFP240, STP60NF06
