IPD60R1K4C6是一種高性能的功率MOSFET器件,采用先�(jìn)的制程技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)。該器件適用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用場�。其封裝形式為TO-220,適合于高電流和高電壓的工作�(huán)��
該MOSFET采用了優(yōu)化的芯片�(shè)�(jì),能夠顯著降低導(dǎo)通損耗,從而提升整體系�(tǒng)的效�。同�(shí),它還具備良好的熱性能和電氣性能,確保在�(yán)苛的�(yīng)用條件下�(wěn)定工��
型號:IPD60R1K4C6
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(V_DS)�60V
最大柵源電�(V_GS):�20V
最大漏極電�(I_D)�27A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�1.4mΩ(典型值,在V_GS=10V�(shí)�
總柵極電�(Q_g)�98nC
開關(guān)速度:快速開�(guān)
工作溫度范圍(T_j)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-220
1. 極低的導(dǎo)通電阻(R_DS(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高雪崩能�,增�(qiáng)了器件的魯棒性和可靠��
3. 快速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
4. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下保持高效�(yùn)��
5. 采用TO-220�(biāo)�(zhǔn)封裝,便于散熱設(shè)�(jì)和安裝�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元件�
3. 電機(jī)�(qū)動電路中的控制開�(guān)�
4. 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 工業(yè)�(shè)備中的功率管理模��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開�(guān)�(yīng)��
IRF640N, IRFP240, STP60NF06