IPD60R1K4C6是一種高性能的功率MOSFET器件,采用先進(jìn)的制程技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)。該器件適用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動以及負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用場合。其封裝形式為TO-220,適合于高電流和高電壓的工作環(huán)境。
該MOSFET采用了優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì),能夠顯著降低導(dǎo)通損耗,從而提升整體系統(tǒng)的效率。同時(shí),它還具備良好的熱性能和電氣性能,確保在嚴(yán)苛的應(yīng)用條件下穩(wěn)定工作。
型號:IPD60R1K4C6
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(V_DS):60V
最大柵源電壓(V_GS):±20V
最大漏極電流(I_D):27A
導(dǎo)通電阻(R_DS(on)):1.4mΩ(典型值,在V_GS=10V時(shí))
總柵極電荷(Q_g):98nC
開關(guān)速度:快速開關(guān)
工作溫度范圍(T_j):-55℃至+175℃
封裝形式:TO-220
1. 極低的導(dǎo)通電阻(R_DS(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
2. 高雪崩能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性和可靠性。
3. 快速開關(guān)性能,支持高頻應(yīng)用。
4. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下保持高效運(yùn)行。
5. 采用TO-220標(biāo)準(zhǔn)封裝,便于散熱設(shè)計(jì)和安裝。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)需求。
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動電路中的控制開關(guān)。
4. 各類負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
5. 工業(yè)設(shè)備中的功率管理模塊。
6. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開關(guān)應(yīng)用。
IRF640N, IRFP240, STP60NF06