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IPD60R1K4C6 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/16 13:51:08 查看 閱讀:21

IPD60R1K4C6是一種高性能的功率MOSFET器件,采用先進(jìn)的制程技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)。該器件適用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動以及負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用場合。其封裝形式為TO-220,適合于高電流和高電壓的工作環(huán)境。
  該MOSFET采用了優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì),能夠顯著降低導(dǎo)通損耗,從而提升整體系統(tǒng)的效率。同時(shí),它還具備良好的熱性能和電氣性能,確保在嚴(yán)苛的應(yīng)用條件下穩(wěn)定工作。

參數(shù)

型號:IPD60R1K4C6
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓(V_DS):60V
  最大柵源電壓(V_GS):±20V
  最大漏極電流(I_D):27A
  導(dǎo)通電阻(R_DS(on)):1.4mΩ(典型值,在V_GS=10V時(shí))
  總柵極電荷(Q_g):98nC
  開關(guān)速度:快速開關(guān)
  工作溫度范圍(T_j):-55℃至+175℃
  封裝形式:TO-220

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻(R_DS(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高雪崩能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性和可靠性。
  3. 快速開關(guān)性能,支持高頻應(yīng)用。
  4. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下保持高效運(yùn)行。
  5. 采用TO-220標(biāo)準(zhǔn)封裝,便于散熱設(shè)計(jì)和安裝。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)需求。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率元件。
  3. 電機(jī)驅(qū)動電路中的控制開關(guān)。
  4. 各類負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
  5. 工業(yè)設(shè)備中的功率管理模塊。
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開關(guān)應(yīng)用。

替代型號

IRF640N, IRFP240, STP60NF06

ipd60r1k4c6推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

ipd60r1k4c6參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IPD60R1K4C6
  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.4 歐姆 @ 1.1A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 90µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs9.4nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds200pF @ 100V
  • 功率 - 最大28.4W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD60R1K4C6TRSP000799134