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IPD650P06NM 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/29 9:39:06 查看 閱讀：34

IPD650P06NM是一款高性能的功率MOSFET，采用先進(jìn)的制造工藝，專為需要高效率和低功耗的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件適用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合。其封裝形式為T(mén)O-252（DPAK），具備良好的散熱性能。
　　IPD650P06NM具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開(kāi)關(guān)特性，這使其在高頻工作條件下表現(xiàn)出色。此外，該器件還具有較高的雪崩耐量能力，能夠在異常情況下提供額外的保護(hù)。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：6.5A
　　導(dǎo)通電阻：4.5mΩ
　　柵極電荷：19nC
　　反向恢復(fù)時(shí)間：38ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ to +175℃

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠顯著降低導(dǎo)通損耗，提高整體效率。
　　2. 快速的開(kāi)關(guān)速度，減少開(kāi)關(guān)損耗，非常適合高頻應(yīng)用。
　　3. 具備強(qiáng)大的雪崩能力和穩(wěn)健的設(shè)計(jì)，確保在惡劣環(huán)境下可靠運(yùn)行。
　　4. 小型化的TO-252封裝，有助于節(jié)省PCB空間并提升熱性能。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代化生產(chǎn)需求。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）
　　2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器
　　3. 負(fù)載開(kāi)關(guān)
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　5. 工業(yè)控制及保護(hù)電路
　　6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理模塊

替代型號(hào)

IRF650N
　　IXYS IXFN65P04T2
　　ON Semiconductor NTMFS5C628NL

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