IPD70P04P4-09是一款高性能的MOSFET功率晶體管,專為需要高效率和低導通電阻的應用而設計。該器件采用先進的制程技術,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適合用于電源管理、電機驅動以及DC-DC轉換等場景。
這款MOSFET屬于P溝道類型,封裝形式為TO-252(DPAK),具備出色的散熱性能和緊湊的設計,使其非常適合空間受限的應用環(huán)境。
型號:IPD70P04P4-09
類型:P溝道MOSFET
最大漏源電壓(V_DS):40V
最大柵源電壓(V_GS):±8V
連續(xù)漏極電流(I_D):70A
導通電阻(R_DS(on)):3.5mΩ(典型值,@ V_GS=-4.5V)
總柵極電荷(Q_g):16nC(典型值)
開關時間:開啟時間(t_on)=29ns,關斷時間(t_off)=17ns
工作結溫范圍(T_j):-55℃至+175℃
IPD70P04P4-09的核心特性包括:
1. 極低的導通電阻(R_DS(on)),可顯著降低功耗并提高系統效率。
2. 高額定電流能力,能夠支持高達70A的連續(xù)漏極電流。
3. 快速開關性能,有助于減少開關損耗,并適應高頻應用需求。
4. 小型化的TO-252封裝,便于在有限的空間內實現高效布局。
5. 強大的熱穩(wěn)定性,能夠在較寬的溫度范圍內可靠運行。
6. 具備良好的靜電防護能力,增強器件的耐用性。
該MOSFET廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流功能。
2. DC-DC轉換器,特別是在降壓或升壓電路中作為主開關元件。
3. 電池管理系統(BMS),用作負載開關或保護開關。
4. 電機驅動電路中的功率級控制。
5. 工業(yè)自動化設備中的功率切換。
6. 汽車電子系統中的負載切換與保護功能。
IPB070N04S4-09, IPP070N04S4-09