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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IPD75N04S4-06

IPD75N04S4-06 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 10:52:26 查看 閱讀�30

IPD75N04S4-06 是一款基于硅技術的 N � IGBT(絕緣柵雙極晶體管)器件,專為高頻開關應用設計。該型號具有低導通損耗和開關損耗的特點,適合于高效率功率轉換場景。其額定電壓� 450V,額定電流為 75A,封裝形式為 TO-247-3,廣泛應用于工業(yè)電機驅動、太陽能逆變器以及不間斷電源(UPS)等系統(tǒng)�
  IGBT 的核心優(yōu)勢在于結合了 MOSFET 的高輸入阻抗特性和雙極晶體管的低導通壓降特點,使其在高頻和大功率應用場景中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

集電�-�(fā)射極擊穿電壓�450V
  連續(xù)集電極電流:75A
  最大功耗:350W
  總存儲結溫范圍:-55� � 175�
  柵極閾值電壓:4V
  導通飽和壓降(Vce(sat)):1.8V
  開關頻率:高� 20kHz
  封裝類型:TO-247-3

特�

1. 高效的開關性能,確保低導通和開關損�,從而提升整體系�(tǒng)效率�
  2. �(wěn)定的工作溫度范圍,適用于惡劣�(huán)境下的長期運��
  3. 內置快速恢復二極管(FRD),進一步降低開關損耗并�(yōu)化動�(tài)性能�
  4. 較高的短路耐受能力,增強了器件的可靠性和安全��
  5. 封裝采用標準 TO-247-3,便于安裝和散熱設計�

應用

1. 工業(yè)變頻器與伺服驅動器中的功率模��
  2. 太陽能光伏逆變器的核心功率開關元件�
  3. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)的高效功率轉換電��
  4. 電動汽車及混合動力汽車中� DC/DC � DC/AC 轉換��
  5. 焊接設備及其他需要高頻功率控制的場合�

替代型號

FGH75N04MD2
  STGW75HC04D
  CoolMOS CFD7 IGBT系列

ipd75n04s4-06推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipd75n04s4-06參數(shù)

  • �(shù)據列�IPD75N04S4-06
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C75A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.9 毫歐 @ 75A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 26µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs32nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2550pF @ 25V
  • 功率 - 最�58W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�PG-TO252-3-313
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD75N04S406ATMA1SP000711472