時(shí)間：2025/6/4 18:22:08
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IPD78CN10N G 是一款高性能的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 芯片，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等場景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能。
該器件支持表面貼裝封裝，便于自動化生產(chǎn)，并具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，適合在各種嚴(yán)苛的工作環(huán)境下使用。
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(VDS)：30V
最大柵源電壓(VGS)：±20V
連續(xù)漏極電流(ID)：10A
導(dǎo)通電阻(RDS(on))：1.5mΩ（典型值，VGS=10V）
柵極電荷(Qg)：29nC
開關(guān)速度：快速開關(guān)
工作溫度范圍(TJ)：-55℃至+175℃
IPD78CN10N G 的主要特性包括以下幾點(diǎn)：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on))，能夠顯著減少傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)能力，適合高頻應(yīng)用場合，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源。
3. 高額定電流和耐壓能力，確保在大功率場景下的穩(wěn)定性。
4. 出色的熱性能設(shè)計(jì)，有助于散熱管理，延長使用壽命。
5. 提供過溫保護(hù)和靜電防護(hù)功能，進(jìn)一步增強(qiáng)了器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。
IPD78CN10N G 可應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
2. 工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)控制和驅(qū)動電路。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和繼電器替代方案。
4. 家用電器和消費(fèi)電子產(chǎn)品的功率管理模塊。
5. 太陽能逆變器和其他新能源相關(guān)設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換組件。
IPD78CN08N G, IPB018N06N G
