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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD78CN10N G

IPD78CN10N G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 18:22:08 查看 閱讀�7

IPD78CN10N G 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)等場景。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
  該器件支持表面貼裝封�,便于自動化生產(chǎn),并具備出色的熱�(wěn)定性和可靠性,適合在各種嚴(yán)苛的工作�(huán)境下使用�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(VDS)�30V
  最大柵源電�(VGS):�20V
  連續(xù)漏極電流(ID)�10A
  �(dǎo)通電�(RDS(on))�1.5mΩ(典型�,VGS=10V�
  柵極電荷(Qg)�29nC
  開關(guān)速度:快速開�(guān)
  工作溫度范圍(TJ)�-55℃至+175�

特�

IPD78CN10N G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)),能夠顯著減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器和開�(guān)電源�
  3. 高額定電流和耐壓能力,確保在大功率場景下的穩(wěn)定性�
  4. 出色的熱性能�(shè)�(jì),有助于散熱管理,延長使用壽��
  5. 提供過溫保護(hù)和靜電防�(hù)功能,�(jìn)一步增�(qiáng)了器件的可靠��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��

�(yīng)�

IPD78CN10N G 可應(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)控制和驅(qū)動電��
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和繼電器替代方案�
  4. 家用電器和消�(fèi)電子�(chǎn)品的功率管理模塊�
  5. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換組��

替代型號

IPD78CN08N G, IPB018N06N G

ipd78cn10n g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

ipd78cn10n g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPx(78,80)CN10N G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C13A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C78 毫歐 @ 13A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 12µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs11nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds716pF @ 50V
  • 功率 - 最�31W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SP000096460