IPD90N04S4-05是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),主要適用于需要低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的應(yīng)用場景。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)動以及各類電源管理系�(tǒng)中�
其封裝形式為TO-263(DPAK�,具備出色的散熱性能和可靠性,適合在緊湊型�(shè)�(jì)中使��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�90A
�(dǎo)通電阻:1.7mΩ
柵極電荷�36nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至175�
IPD90N04S4-05具有非常低的�(dǎo)通電�,這使得它能夠在大電流�(yīng)用中保持較低的功耗和溫升。此外,該器件的柵極電荷較小,有助于�(shí)�(xiàn)更高的開�(guān)頻率,從而提升整體效率�
其出色的熱性能得益于TO-263封裝�(shè)�(jì),能夠有效將熱量傳導(dǎo)至外部散熱器或PCB板上�
同時,該器件具備較強(qiáng)的抗雪崩能力,能夠在異常情況下提供額外的保護(hù)功能�
IPD90N04S4-05適用于多種工�(yè)及消�(fèi)類電子領(lǐng)�,包括但不限于以下應(yīng)用:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電動工具中的電機(jī)�(qū)�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控�
5. LED�(qū)動器和逆變�
由于其大電流處理能力和高效性能,這款MOSFET特別適合需要高功率密度的設(shè)�(jì)�
IPW90N04S4-05, IXFN90N04T4