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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD90N04S4L-04

IPD90N04S4L-04 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 11:34:11 查看 閱讀�16

IPD90N04S4L-04是一款高性能的MOSFET功率晶體�,由Infineon Technologies生產(chǎn)。該器件采用TRENCHSTOP技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于多種開關(guān)�(yīng)�。其封裝形式為TO-Leadless(TOLL�,這是一種緊湊型表面貼裝封裝,能夠提供卓越的熱性能和電氣性能�
  該型�(hào)中的�90’代表了其連續(xù)漏極電流能力(ID)為90A,而�04’則表示其最大漏源電壓(VDS)為40V。整體設(shè)�(jì)使其非常適合用于電機(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器、電池保�(hù)以及�(fù)載切換等�(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�90A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.8mΩ
  柵極電荷(Qg):36nC
  開關(guān)速度:高�
  封裝類型:TO-Leadless(TOLL�
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

IPD90N04S4L-04具備非常低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。同�(shí),其�(yōu)化的柵極電荷允許快速開�(guān)操作,從而降低開�(guān)損耗。此�,該器件采用了無引線封裝技�(shù),不僅減小了安裝面積,還增強(qiáng)了散熱能��
  TOLL封裝的設(shè)�(jì)使其能夠直接與散熱片接觸,�(jìn)一步提升熱管理表現(xiàn)。該器件還具有強(qiáng)大的雪崩能力和短路耐受能力,能夠在極端條件下可靠運(yùn)��
  由于采用了TRENCHSTOP技�(shù),IPD90N04S4L-04在高頻和大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,適合需要高效能和高可靠性的工業(yè)及汽車電子系�(tǒng)�

�(yīng)�

IPD90N04S4L-04廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于�
  1. 電動(dòng)汽車(EV)和混合�(dòng)力汽車(HEV)中的牽引逆變器和車載充電��
  2. 工業(yè)�(shè)備中的伺服驅(qū)�(dòng)和逆變焊機(jī)�
  3. 電信和服�(wù)器電源中的功率因�(shù)校正(PFC)電路�
  4. 太陽能微逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的開�(guān)元件�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效適配器和快充解決方案�
  其出色的性能使其成為�(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換系�(tǒng)中的�(guān)鍵組��

替代型號(hào)

IPW90R072C6_L04
  IPP090N04S4_L04
  IPB90N04S4_L04

ipd90n04s4l-04推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipd90n04s4l-04參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD90N04S4L-04
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C90A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.8 毫歐 @ 90A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.2V @ 35µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4690pF @ 25V
  • 功率 - 最�71W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3-313
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD90N04S4L04ATMA1SP000646188