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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPDH4N03LAG

IPDH4N03LAG 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 8:49:39 查看 閱讀�23

IPDH4N03LAG 是一款來� Infineon(英飛凌)的 N 溝道功率 MOSFET,采� TOLL 封裝形式。這款器件主要針對高效率和高密度應用而設�,具有低導通電阻和�(yōu)異的開關性能,適合于服務�、電信整流器、DC-DC 轉換器等工業(yè)及汽車級應用�
  該器件結合了先進工藝技術和封裝�(yōu)�,能夠在高頻開關條件下保持高效能表現(xiàn),同時支持更高的電流負載能力�

參數(shù)

型號:IPDH4N03LAG
  品牌:Infineon
  VDS(漏源極電壓):30V
  RDS(on)(導通電阻)�1.6mΩ(典型值,� VGS=10V 時)
  IDS(連續(xù)漏極電流):478A
  VGS(柵源極電壓):±20V
  功耗:255W
  結溫范圍�-55� � +175�
  封裝:TOLL

特�

IPDH4N03LAG 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(RDS(on)�,有助于減少導通損�,提升整體系�(tǒng)效率�
  2. 支持高達 478A 的連續(xù)漏極電流,能夠滿足大電流應用場景的需��
  3. 高頻開關性能,適合用于高� DC-DC 轉換器以� PFC(功率因�(shù)校正)電��
  4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
  5. 具備出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
  6. TOLL 封裝形式,簡� PCB 設計并提供更好的散熱管理�
  7. 提供增強的電氣特性和抗干擾能�,適用于嚴苛的工作環(huán)境�

應用

IPDH4N03LAG 廣泛應用于以下領域:
  1. 工業(yè)電源中的 DC-DC 轉換�,特別是需要高效率和高功率密度的應用場景�
  2. 通信設備中的整流器和逆變器模��
  3. 電動汽車(EV)充電基礎設�,例如直流快速充電樁�
  4. 電機驅動控制電路,特別是在高性能工業(yè)自動化環(huán)境中�
  5. �(shù)�(jù)中心和服務器電源供應單元(PSU��
  6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關的電力轉換設備�

替代型號

IPD029N03L_G_T1, IPD074N03L_T1

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ipdh4n03lag參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD,IPSH4N03LA G
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C90A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.2 毫歐 @ 60A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 40µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs26nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3200pF @ 15V
  • 功率 - 最�94W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應商設備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPDH4N03LAGINTRSP000016407