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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IPG20N06S2L-65

IPG20N06S2L-65 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 12:33:51 查看 閱讀�23

IPG20N06S2L-65是一款N溝道功率MOSFET,具有高效率和低導通電阻的特點。該器件采用TO-220封裝形式,適用于各種開關電源、DC-DC轉換器以及電機驅動等應用場合。其額定電壓�60V,能夠提供較高的電流處理能力�

參數

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�28A
  導通電阻:1.7mΩ
  柵極電荷�45nC
  開關速度:快�
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

這款MOSFET的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可以顯著降低導通損��
  2. 高電流承載能�,適合大功率應用�
  3. 快速開關性能,有助于減少開關損��
  4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠在較寬的工作溫度范圍內保持良好的性能�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且易于集成到現代電路設計中�

應用

IPG20N06S2L-65廣泛應用于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS�
  2. DC-DC轉換�
  3. 電機控制和驅�
  4. 工業(yè)自動化設�
  5. 汽車電子系統中的負載切換
  6. 其他需要高效功率轉換的應用場景

替代型號

IPB20N06S2L-65, IRFZ44N, STP20NF06

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ipg20n06s2l-65參數

  • 數據列表IPG20N06S2L-65
  • 標準包裝5,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列OptiMOS™
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫歐 @ 15A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 14µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs12nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds410pF @ 25V
  • 功率 - 最�43W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應商設備封�PG-TDSON-8-4�5.15x6.15�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPG20N06S2L65ATMA1SP000613722