IPG20N10S4L-22 是一款基� Trench MOS 技術的 N 溝道功率場效應晶體管(Power MOSFET�。該器件采用 TO-263 封裝形式,具有低導通電阻和快速開關速度的特點,適用于各種高效率、高頻開關的應用場景。其典型應用場景包括 DC-DC 轉換�、開關電源、電機驅動以及負載開關等�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�20A
導通電阻(典型值)�8.5mΩ
柵極電荷�38nC
輸入電容�1970pF
開關時間:ton=24ns, toff=17ns
工作結溫范圍�-55℃至+150�
IPG20N10S4L-22 具有以下主要特性:
1. 采用先進的 Trench MOS 技術,確保低導通電阻和高電流能��
2. 快速開關性能,支持高頻應�,減少開關損耗�
3. 高度�(yōu)化的封裝設計,提升散熱性能和電氣連接可靠性�
4. 低柵極電荷和輸出電容,進一步提高能��
5. 提供良好的熱�(wěn)定性和電氣�(wěn)定�,適合工�(yè)級應用環(huán)��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
該功� MOSFET 主要應用于需要高效功率轉換和快速開關的領域�
1. 開關模式電源(SMPS),例如 AC-DC � DC-DC 轉換��
2. 各類電機驅動電路,如無刷直流電機(BLDC)控��
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關�
4. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
5. 高頻逆變器和不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
6. 汽車電子中的輔助功率管理單元�
IRF3205
STP20NF10
IXTH20N10T2