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IPL60R085P7 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 12:59:31 查看 閱讀�31

IPL60R085P7是英飛凌(Infineon)推出的一款MOSFET功率晶體�,屬于OptiMOS系列。該器件采用PQFN封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于多種開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場景�
  其主要設(shè)�(jì)目的是為了在高頻開關(guān)�(yīng)用中提供卓越的性能表現(xiàn),同�(shí)保持較低的熱損�。IPL60R085P7的額定電壓為60V,適合用于工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的功率管理部分�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏電流:41A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�8.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�28nC
  開關(guān)頻率范圍:高�(dá)1MHz
  工作�(jié)溫范圍:-55°C�175°C
  封裝類型:PQFN 5x6

特�

IPL60R085P7具有極低的導(dǎo)通電�,能夠有效減少功率損�,提升系�(tǒng)效率。此外,它的快速開�(guān)速度有助于降低開�(guān)損�,使得該器件非常適合高頻�(yīng)��
  由于采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),IPL60R085P7還具備良好的散熱性能,并能在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行。同�(shí),其小型化的封裝�(shè)�(jì)可以節(jié)省PCB空間,有利于緊湊型產(chǎn)品設(shè)�(jì)�
  另外,該器件擁有較高的雪崩能力和魯棒性,能夠在異常條件下保護(hù)電路不受損壞,提高了系統(tǒng)的可靠��

�(yīng)�

IPL60R085P7廣泛�(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切�
  憑借其�(yōu)異的性能和可靠性,這款MOSFET成為了眾多工程師在設(shè)�(jì)高效能功率電路時(shí)的首選方��

替代型號(hào)

IPL60R099P7
  IPL60R118P7
  IPL60R140P7

ipl60r085p7推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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  • 詢價(jià)