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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPL60R125C7

IPL60R125C7 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 17:52:15 查看 閱讀�24

IPL60R125C7 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的功率MOSFET,采用TRENCHSTOP?技�(shù)制造。該器件屬于OptiMOS系列,專(zhuān)為高效率、低損耗的�(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。其額定電壓�600V,導(dǎo)通電阻典型值為125mΩ(在特定條件下),能夠滿(mǎn)足工�(yè)和消�(fèi)�(lèi)�(yīng)用中的嚴(yán)格要��
  這款MOSFET具有出色的開(kāi)�(guān)性能和較低的�(dǎo)通損耗,適用于硬�(kāi)�(guān)和軟�(kāi)�(guān)�?fù)?,如SMPS(開(kāi)�(guān)電源)、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器和電機(jī)�(qū)�(dòng)等�

參數(shù)

�(lèi)型:N-Channel MOSFET
  額定電壓�600V
  最大漏源電流(ID):34A
  �(dǎo)通電阻(RDS(on)):125mΩ @ VGS=10V
  柵極電荷(Qg):85nC
  輸入電容(Ciss):2950pF
  反向恢復(fù)�(shí)間(trr):45ns
  工作溫度范圍�-55� to +150�

特�

IPL60R125C7采用先�(jìn)的TRENCHSTOP?技�(shù),具備以下特�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,降低開(kāi)�(guān)損��
  3. 較小的柵極電荷和輸出電荷,提高整體效率�
  4. 短的反向恢復(fù)�(shí)間,適合高頻�(yīng)��
  5. 高雪崩能�,增�(qiáng)器件的魯棒性�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛封��
  這些特性使該器件非常適合用于需要高效能和高可靠性的電力電子�(shè)備中�

�(yīng)�

IPL60R125C7廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,例如電信電源和服務(wù)器電��
  3. 太陽(yáng)能逆變器和不間斷電源(UPS)�
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和變頻器�
  5. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電站和車(chē)載充電器�
  由于其高電壓承受能力和良好的熱性能,該MOSFET在高壓大電流�(chǎng)合表�(xiàn)尤為突出�

替代型號(hào)

IPL60R150P7
  IPL60R130C7
  IPW60R125C7
  FF60R12K6

ipl60r125c7推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ipl60r125c7�(chǎn)�