時間：2025/5/23 9:49:01
閱讀：3
IPP180N10N3是由Infineon（英飛凌）生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，采用TO-247封裝形式。該器件專為高頻開關應用設計，具有較低的導通電阻和快速開關性能，廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換器、電機驅動以及工業(yè)逆變器等場景。
這款MOSFET的主要特點是其優(yōu)化的動態(tài)性能和高能效表現(xiàn)，能夠顯著降低功率損耗并提升系統(tǒng)的整體效率。
最大漏源電壓：100V
連續(xù)漏極電流：180A
導通電阻（典型值）：1.6mΩ
柵極電荷（典型值）：95nC
反向恢復時間：不適用（無內置二極管）
工作結溫范圍：-55℃ to 175℃
IPP180N10N3采用了先進的TRENCHSTOP技術，具備以下特點：
1. 極低的導通電阻，在大電流應用中可有效減少功率損耗。
2. 高速開關能力，適合高頻操作環(huán)境。
3. 出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在極端溫度條件下保持高性能。
4. 內部設計針對EMI進行了優(yōu)化，減少了對周邊電路的干擾。
5. 提供強大的雪崩能量吸收能力，增強了在過載情況下的耐用性。
6. 符合RoHS標準，環(huán)保且支持無鉛焊接工藝。
IPP180N10N3適用于多種高功率密度應用場景，包括但不限于：
1. 開關模式電源（SMPS）中的主開關元件。
2. 工業(yè)電機驅動中的功率級控制。
3. 太陽能逆變器和不間斷電源（UPS）系統(tǒng)。
4. 電動汽車（EV）充電站的功率轉換模塊。
5. DC-DC轉換器和PFC（功率因數(shù)校正）電路中的關鍵組件。
IPP180N10S3,
IPP180N10N4G
