IPP200N15N3 G 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的高壓功� MOSFET,屬� P溝道增強型器�。該芯片主要用于需要高效率和高性能的開�(guān)�(yīng)用中,例如開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等場景。其耐壓能力高達 1500V,同時具有低導通電阻和快速開�(guān)特�,能夠滿足工�(yè)和汽車領(lǐng)�?qū)Ω呖煽啃院透咝艿男枨�?br> 這款芯片采用 TO-247 封裝形式,具備良好的散熱性能,適用于高功率密度的�(yīng)用環(huán)境�
最大漏源電壓:1500V
連續(xù)漏極電流�200A
導通電阻:0.018Ω
柵極電荷�65nC
開關(guān)速度:快�
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55� � +175�
IPP200N15N3 G 具有以下顯著特點�
1. 高耐壓能力�1500V 的漏源擊穿電壓使其能夠在高電壓環(huán)境下�(wěn)定運��
2. 大電流處理能力:連續(xù)漏極電流可達 200A,適合高功率�(yīng)用場��
3. 低導通電阻:僅為 0.018Ω,降低了導通損�,提升了整體效率�
4. 快速開�(guān)性能:得益于較低的柵極電�,該器件可以實現(xiàn)快速的開關(guān)動作,減少開�(guān)損��
5. 高溫適應(yīng)性:支持 -55� � +175� 的寬溫度范圍,確保在極端�(huán)境下的可靠性�
6. 符合 RoHS 標準:環(huán)保設(shè)�,滿足國際環(huán)保法�(guī)要求�
這些特性使 IPP200N15N3 G 成為高功率轉(zhuǎn)換和控制�(yīng)用的理想選擇�
IPP200N15N3 G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)�(shè)備中的開�(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動汽車及混合動力汽車中的電機驅(qū)動和逆變器模塊�
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
4. 高壓大電流負載開�(guān),如焊接�(shè)�、UPS 系統(tǒng)��
5. 高效功率因數(shù)校正(PFC)電路�
其卓越的性能和可靠性使其成為許多高功率電子系統(tǒng)的首選解決方��
IPP200N15S3G, IRGP2004PbK