時間：2025/5/13 12:51:49
閱讀：23
IPP200N15N3 G 是一款由 Infineon（英飛凌）生產(chǎn)的高壓功率 MOSFET，屬于 P溝道增強型器件。該芯片主要用于需要高效率和高性能的開關(guān)應(yīng)用中，例如開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等場景。其耐壓能力高達 1500V，同時具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，能夠滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω呖煽啃院透咝艿男枨蟆?br> 這款芯片采用 TO-247 封裝形式，具備良好的散熱性能，適用于高功率密度的應(yīng)用環(huán)境。
最大漏源電壓：1500V
連續(xù)漏極電流：200A
導通電阻：0.018Ω
柵極電荷：65nC
開關(guān)速度：快速
封裝形式：TO-247
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
IPP200N15N3 G 具有以下顯著特點：
1. 高耐壓能力：1500V 的漏源擊穿電壓使其能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運行。
2. 大電流處理能力：連續(xù)漏極電流可達 200A，適合高功率應(yīng)用場景。
3. 低導通電阻：僅為 0.018Ω，降低了導通損耗，提升了整體效率。
4. 快速開關(guān)性能：得益于較低的柵極電荷，該器件可以實現(xiàn)快速的開關(guān)動作，減少開關(guān)損耗。
5. 高溫適應(yīng)性：支持 -55℃ 至 +175℃ 的寬溫度范圍，確保在極端環(huán)境下的可靠性。
6. 符合 RoHS 標準：環(huán)保設(shè)計，滿足國際環(huán)保法規(guī)要求。
這些特性使 IPP200N15N3 G 成為高功率轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用的理想選擇。
IPP200N15N3 G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 工業(yè)設(shè)備中的開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電動汽車及混合動力汽車中的電機驅(qū)動和逆變器模塊。
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)。
4. 高壓大電流負載開關(guān)，如焊接設(shè)備、UPS 系統(tǒng)等。
5. 高效功率因數(shù)校正（PFC）電路。
其卓越的性能和可靠性使其成為許多高功率電子系統(tǒng)的首選解決方案。
IPP200N15S3G, IRGP2004PbK
