IPS70R1K4P7S是由Infineon(英飛凌)公司生�(chǎn)的一款MOSFET功率晶體�,采用P溝道技�(shù)。該器件主要適用于高�、高效率�(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能�。它屬于OptiMOS系列,專(zhuān)門(mén)�(shè)�(jì)用于提升系統(tǒng)性能和降低能��
該器件采用了Trench技�(shù)�?xún)?yōu)化其性能,同�(shí)具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的領(lǐng)域�
�(lèi)型:P溝道 MOSFET
額定電壓�700V
額定電流�4A
�(dǎo)通電阻:1.4Ω
柵極電荷�15nC
連續(xù)漏極電流�4A
封裝形式:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍�-55� to +150�
總功耗:1.9W
IPS70R1K4P7S是一款高性能的功率MOSFET,具有以下特�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,在典型條件下僅�1.4Ω,從而減少了傳導(dǎo)損耗并提升了效率�
2. 高耐壓能力,額定電壓為700V,能夠勝任高壓環(huán)境下的開(kāi)�(guān)任務(wù)�
3. 較小的柵極電荷量(Qg=15nC),有助于實(shí)�(xiàn)快速開(kāi)�(guān),減少開(kāi)�(guān)損��
4. 封裝采用�(biāo)�(zhǔn)的TO-252(DPAK),便于焊接和安�,同�(shí)提供良好的散熱性能�
5. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃至+150℃),確保在極端條件下的可靠�(yùn)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
這些特性使得IPS70R1K4P7S成為許多工業(yè)和汽�(chē)�(jí)�(yīng)用的理想選擇�
IPS70R1K4P7S適合多種電力電子�(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流功能�
2. 各種�(lèi)型的DC-DC�(zhuǎn)換器,例如降壓或升壓�?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器內(nèi)的功率級(jí)控制�
5. 汽車(chē)電子�(shè)�,如啟動(dòng)/停止系統(tǒng)、電�(dòng)助力�(zhuǎn)向等�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)和分��
憑借其卓越的電氣特性和可靠�,這款器件在要求高�、緊湊且�(jīng)�(jì)的設(shè)�(jì)中表�(xiàn)出色�
IPS70R1K8P7S, IPS70R2K2P7S