IPT60R022S7是一款由Infineon(英飛凌)生產的MOSFET功率晶體�,采用TRENCHSTOP? IGBT技術制�。該器件屬于Optimized Field Stop MOSFET系列,設計用于高效率、高頻開關應用場合。其主要特點是低導通電阻和快速開關速度,能夠顯著降低傳導損耗和開關損耗,從而提高系�(tǒng)整體效率。IPT60R022S7適用于工�(yè)電源、電機驅�、太陽能逆變器等需要高效功率轉換的領域�
額定電壓�650V
最大漏源極導通電阻(RDS(on)):22mΩ
連續(xù)漏極電流(ID):34A
柵極電荷(Qg):95nC
輸入電容(Ciss):2850pF
反向恢復時間(trr):75ns
工作結溫范圍�-55℃至175�
IPT60R022S7采用了先進的TRENCHSTOP?技�,具備以下優(yōu)勢:
1. 極低的導通電�,有助于減少功率損��
2. 快速開關性能,適合高頻應用場��
3. 高度�(wěn)定的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下可靠運行�
4. 內置二極管具有較低的反向恢復電荷,可進一步降低開關損耗�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠性高�
此外,其堅固的設計使其非常適合要求嚴苛的工業(yè)應用�(huán)��
IPT60R022S7廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS�
2. 工業(yè)電機驅動
3. 太陽能逆變�
4. UPS不間斷電�
5. 電動汽車充電�
6. LED照明驅動電路
7. 各種AC-DC和DC-DC轉換�
由于其高效率和耐用�,該器件特別適合對能源效率和散熱性能有較高要求的應用場景�
IPT60R040S7
IPT60R070S7
IPW60R022S7
IPB60R022S7