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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IPT60R022S7

IPT60R022S7 發(fā)布時間 時間�2025/5/15 14:49:10 查看 閱讀�20

IPT60R022S7是一款由Infineon(英飛凌)生產的MOSFET功率晶體�,采用TRENCHSTOP? IGBT技術制�。該器件屬于Optimized Field Stop MOSFET系列,設計用于高效率、高頻開關應用場合。其主要特點是低導通電阻和快速開關速度,能夠顯著降低傳導損耗和開關損耗,從而提高系�(tǒng)整體效率。IPT60R022S7適用于工�(yè)電源、電機驅�、太陽能逆變器等需要高效功率轉換的領域�

參數(shù)

額定電壓�650V
  最大漏源極導通電阻(RDS(on)):22mΩ
  連續(xù)漏極電流(ID):34A
  柵極電荷(Qg):95nC
  輸入電容(Ciss):2850pF
  反向恢復時間(trr):75ns
  工作結溫范圍�-55℃至175�

特�

IPT60R022S7采用了先進的TRENCHSTOP?技�,具備以下優(yōu)勢:
  1. 極低的導通電�,有助于減少功率損��
  2. 快速開關性能,適合高頻應用場��
  3. 高度�(wěn)定的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下可靠運行�
  4. 內置二極管具有較低的反向恢復電荷,可進一步降低開關損耗�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠性高�
  此外,其堅固的設計使其非常適合要求嚴苛的工業(yè)應用�(huán)��

應用

IPT60R022S7廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS�
  2. 工業(yè)電機驅動
  3. 太陽能逆變�
  4. UPS不間斷電�
  5. 電動汽車充電�
  6. LED照明驅動電路
  7. 各種AC-DC和DC-DC轉換�
  由于其高效率和耐用�,該器件特別適合對能源效率和散熱性能有較高要求的應用場景�

替代型號

IPT60R040S7
  IPT60R070S7
  IPW60R022S7
  IPB60R022S7

ipt60r022s7推薦供應� 更多>

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