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IPT60R050G7 發(fā)布時間 時間:2025/5/13 17:26:56 查看 閱讀:19

IPT60R050G7是Infineon(英飛凌)推出的一款采用TRENCHSTOP?技術(shù)的MOSFET芯片。該器件主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、逆變器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點,能夠在高頻應(yīng)用中實現(xiàn)高效率和低損耗。
  這款芯片屬于IGBT模塊系列中的功率MOSFET類別,采用了TO-247封裝形式,能夠適應(yīng)較高的電流和電壓需求。其設(shè)計使得在高溫條件下仍能保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  導(dǎo)通電阻(典型值):50mΩ
  連續(xù)漏極電流:18A
  柵極電荷:10nC
  總電容:1300pF
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ to 175℃

特性

IPT60R050G7使用了先進(jìn)的TRENCHSTOP?技術(shù)以降低導(dǎo)通電阻并提高整體效率。
  其具備以下優(yōu)勢:
  - 極低的導(dǎo)通電阻(50mΩ),減少了傳導(dǎo)損耗,從而提升系統(tǒng)效率。
  - 快速開關(guān)速度和較低的柵極電荷使其非常適合高頻應(yīng)用場景。
  - 高度可靠的熱穩(wěn)定性,即使在惡劣的工作環(huán)境下也能保持出色的性能。
  - TO-247封裝便于散熱,適合高功率密度的應(yīng)用場合。
  - 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛工藝制造。

應(yīng)用

IPT60R050G7廣泛用于需要高效率和高性能的電力電子領(lǐng)域,包括但不限于以下應(yīng)用:
  - 開關(guān)模式電源(SMPS)
  - 太陽能逆變器
  - 電機(jī)驅(qū)動與控制
  - 工業(yè)自動化設(shè)備
  - 電動汽車充電樁
  - DC-DC轉(zhuǎn)換器
  由于其高壓特性和良好的開關(guān)性能,該器件特別適用于需要高可靠性和高效能量轉(zhuǎn)換的工業(yè)及汽車級應(yīng)用。

替代型號

IPT60R098N7, IPT60R140CP, IRFB4110TRPBF

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