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IPT60R055CFD7 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 19:40:04 查看 閱讀�26

IPT60R055CFD7 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的功� MOSFET 芯片,采� TRENCHSTOP? IGBT 技�(shù)。該芯片專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�,廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、電機驅(qū)動和太陽能逆變器等�(lǐng)�。其低導通電阻和�(yōu)化的開關(guān)特性使其成為高性能功率�(zhuǎn)換的理想選擇�
  該器件屬� CoolMOS 系列,具有出色的熱性能和可靠性,支持表面貼裝封裝,便于自動化生產(chǎn)和提高系�(tǒng)集成��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�28A
  導通電阻:55mΩ
  柵極電荷�130nC
  開關(guān)速度:快�
  封裝類型:D2PAK-7 (INF74921)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

IPT60R055CFD7 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 低導通電阻:� RDS(on) 值僅� 55mΩ,在同類�(chǎn)品中處于較低水平,可顯著降低傳導損耗�
  2. 高效開關(guān)性能:通過�(yōu)化柵極電�,該芯片能夠?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān),減少開�(guān)損��
  3. 強大的熱性能:得益于先進的封裝技�(shù)和芯片設(shè)�,它在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定運��
  4. 可靠性高:符� AEC-Q101 標準,確保在嚴苛�(huán)境下的長期使��
  5. 安全工作區(qū)寬廣:能夠在較高電壓和電流條件下可靠工作,適用于多種復雜�(yīng)用場��
  6. EMI 性能�(yōu)越:�(nèi)置優(yōu)化的寄生參數(shù),有助于降低電磁干擾問題�

�(yīng)�

IPT60R055CFD7 的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. 工業(yè)電源供應(yīng)器:用于高效 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換�
  2. 太陽能逆變器:在光伏系�(tǒng)中作為核心功率開�(guān)元件�
  3. 電機�(qū)動:支持各種類型的電機控制,包括伺服電機和步進電��
  4. 開關(guān)模式電源(SMPS):提供緊湊高效的解決方案�
  5. 電動車充電設(shè)備:適配于直流快充樁等大功率充電裝置�
  6. 不間斷電源(UPS):保障�(guān)鍵負載的持續(xù)供電�

替代型號

IPT60R072CE, IPT60R084PFD7, IPP60R099PFD7

ipt60r055cfd7推薦供應(yīng)� 更多>

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