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IPW60R041P6 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 18:36:23 查看 閱讀�31

IPW60R041P6是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的功率MOSFET芯片,屬于OptiMOS系列。該器件采用先�(jìn)的制程工藝設(shè)�(jì),具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特�,適用于多種開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和其他功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式為PQFN5*6,具有良好的散熱性能和緊湊的�(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��
  該器件的主要特點(diǎn)是低�(dǎo)通電阻(Rds(on)),這使得它在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出較低的傳導(dǎo)損�,同�(shí)�(yōu)化了整體系統(tǒng)的效��

參數(shù)

型號(hào):IPW60R041P6
  類型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源電壓)�60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4.1mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):89A
  Vgs(柵源電壓):�20V
  封裝:PQFN5*6
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  Qg(總柵極電荷):37nC
  EAS(雪崩能量)�2.3mJ

特�

IPW60R041P6具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(4.1mΩ�,能夠在高電流應(yīng)用場(chǎng)景下降低功耗�
  2. 高效的熱管理�(shè)�(jì),得益于PQFN5*6封裝的卓越散熱能��
  3. �(yōu)異的開關(guān)性能,包括低柵極電荷和快速開�(guān)速度,使其非常適合高頻應(yīng)��
  4. 增強(qiáng)型雪崩能力和短路耐受能力,提高了系統(tǒng)可靠性�
  5. 工作溫度范圍寬廣,能夠適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的使用需��
  這些特點(diǎn)使IPW60R041P6成為高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇,例如服�(wù)器電源、通信電源、電�(dòng)工具以及家用電器��

�(yīng)�

IPW60R041P6廣泛�(yīng)用于以下幾�(gè)�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):如AC-DC適配器、LED�(qū)�(dòng)器等�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)和步�(jìn)電機(jī)控制�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器:特別是在需要高效能和高電流輸出的場(chǎng)合�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用于保護(hù)和監(jiān)控鋰離子電池��
  5. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的功率轉(zhuǎn)換模��
  由于其出色的性能和可靠�,IPW60R041P6在工�(yè)自動(dòng)�、消�(fèi)電子和汽車電子等�(lǐng)域都得到了廣泛應(yīng)��

替代型號(hào)

IPW60R043CEB, IPW60R053PFD, IRF6640

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