IR2103STRPBF是高電壓,高速功率MOSFET和IGBT�(qū)動器,具有獨立的高側(cè)和低�(cè)參考輸出通道。專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技�(shù)使堅固的整體�(jié)�(gòu)。邏輯輸入兼容標(biāo)�(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出,低�3.3V邏輯。輸出驅(qū)動器具有高脈沖電流緩沖級,設(shè)計用于最小的�(qū)動器交叉?zhèn)�?dǎo)。浮動通道可用于驅(qū)動高�(cè)配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作電壓可達600��
專為自舉操作�(shè)計的浮動通道
完全運行時的電壓高達 +600V
容許負瞬�(tài)電壓�
不受 dV/dt 影響
柵極�(qū)動電源范圍:10 � 20V
欠壓鎖定
3.3V�5V � 15V 邏輯輸入兼容
防止交叉?zhèn)�?dǎo)邏輯
雙通道的匹配傳播延�
�(nèi)置死區(qū)時間
高邊輸出� HIN 輸入同相
低邊輸出� LIN 輸入不同�
品牌:Infineon(英飛凌)
封裝�8-SOIC
包裝:圓�
電壓-供電�10V~20V
工作溫度�-40°C~150°C(TJ�
安裝類型:表面貼裝型
基本�(chǎn)品編號:IR2103
HTSUS�8542.39.0001
�(qū)動配置:半橋
通道類型:獨立式
�(qū)動器�(shù)�
柵極類型:IGBT,N溝道MOSFET
邏輯電壓-VIL,VIH�0.8V�3V
電流-峰值輸出(灌入,拉出)�210mA�360mA
:輸入類型:反相,非反相
上升/下降時間(典型值)�100ns�50ns
高壓�(cè)電壓-最大值(自舉):600V
�(chǎn)品應(yīng)用:汽車級:
濕氣敏感性等�(MSL)�2�1年)
REACH狀�(tài):非REACH�(chǎn)�
ECCN:EAR99
IR2103STRPBF原理�
IR2103STRPBF引腳�
IR2103STRPBF封裝