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IR2110STRPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2024/3/27 16:26:34 查看 閱讀:576

IR2110STRPBF是高電壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,具有獨(dú)立的高、低側(cè)參考輸出通道。專有的HVIC和鎖存免疫CMOS技術(shù)使堅(jiān)固的單片結(jié)構(gòu)。邏輯輸入兼容標(biāo)準(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出,低至3.3V邏輯。輸出驅(qū)動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖階段,設(shè)計(jì)為最小的驅(qū)動(dòng)器的交叉?zhèn)鲗?dǎo)。傳播延遲匹配,以簡(jiǎn)化在高頻應(yīng)用中的使用。浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高達(dá)500或600伏特的高側(cè)配置的n通道功率MOSFET或IGBT。

基礎(chǔ)介紹

  廠商型號(hào):IR2110STRPBF

  品牌名稱:Infineon(英飛凌)

  元件類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)

  封裝規(guī)格:SOIC-16

  型號(hào)介紹:高電壓、高速功率MOSFET

特點(diǎn)

  專為自舉操作設(shè)計(jì)的浮動(dòng)通道

  完全運(yùn)行時(shí)的電壓高達(dá) +500 V

  提供完全運(yùn)行時(shí)的電壓高達(dá)+600 V 的版本 (IR2113 )

  不受 dV/dt 影響

  柵極驅(qū)動(dòng)電源范圍:10 20V

  雙通道欠壓鎖定

  3.3 V 邏輯兼容

  獨(dú)立的邏輯供電電壓范圍:3.3 V 20 V

  邏輯和電源接地 +/- 5V 偏移

  具有下拉的 CMOS 施密特觸發(fā)輸入

  逐周期邊緣觸發(fā)關(guān)斷邏輯

  雙通道的匹配傳播延遲

  輸出與輸入同相

中文參數(shù)

分類場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)邏輯電壓 - VIL,VIH6V,9.5V
品牌Infineon(英飛凌)電流 - 峰值輸出(灌入,拉出)2A,2A
系列IR2110輸入類型非反相
驅(qū)動(dòng)配置半橋高壓側(cè)電壓 - 最大值(自舉)500 V
通道類型獨(dú)立式上升/下降時(shí)間(典型值)25ns,17ns
驅(qū)動(dòng)器數(shù)2工作溫度-40°C ~ 150°C(TJ)
柵極類型IGBT,N 溝道 MOSFET安裝類型表面貼裝型
電壓 - 供電3.3V ~ 20V封裝16-SOIC

原理圖

IR2110STRPBF原理圖

IR2110STRPBF原理圖

引腳

IR2110STRPBF原理圖

IR2110STRPBF引腳圖

封裝

IR2110STRPBF封裝圖

IR2110STRPBF封裝

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ir2110strpbf

ir2110strpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1,000
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)
  • 系列-
  • 配置高端和低端,獨(dú)立
  • 輸入類型非反相
  • 延遲時(shí)間120ns
  • 電流 - 峰2.5A
  • 配置數(shù)1
  • 輸出數(shù)2
  • 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng))500V
  • 電源電壓10 V ~ 20 V
  • 工作溫度-40°C ~ 125°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼16-SOIC(0.295",7.50mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝16-SOIC
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IR2110SPBFTR