IR2110STRPBF是高電壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,具有獨(dú)立的高、低側(cè)參考輸出通道。專有的HVIC和鎖存免疫CMOS技術(shù)使堅(jiān)固的單片結(jié)構(gòu)。邏輯輸入兼容標(biāo)準(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出,低至3.3V邏輯。輸出驅(qū)動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖階段,設(shè)計(jì)為最小的驅(qū)動(dòng)器的交叉?zhèn)鲗?dǎo)。傳播延遲匹配,以簡(jiǎn)化在高頻應(yīng)用中的使用。浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高達(dá)500或600伏特的高側(cè)配置的n通道功率MOSFET或IGBT。
●專為自舉操作設(shè)計(jì)的浮動(dòng)通道
●完全運(yùn)行時(shí)的電壓高達(dá) +500 V
●提供完全運(yùn)行時(shí)的電壓高達(dá)+600 V 的版本 (IR2113 )
●不受 dV/dt 影響
●柵極驅(qū)動(dòng)電源范圍:10 至 20V
●雙通道欠壓鎖定
●3.3 V 邏輯兼容
●獨(dú)立的邏輯供電電壓范圍:3.3 V 至 20 V
●邏輯和電源接地 +/- 5V 偏移
●具有下拉的 CMOS 施密特觸發(fā)輸入
●逐周期邊緣觸發(fā)關(guān)斷邏輯
●雙通道的匹配傳播延遲
●輸出與輸入同相
分類 | 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) | 邏輯電壓 - VIL,VIH | 6V,9.5V |
品牌 | Infineon(英飛凌) | 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出) | 2A,2A |
系列 | IR2110 | 輸入類型 | 非反相 |
驅(qū)動(dòng)配置 | 半橋 | 高壓側(cè)電壓 - 最大值(自舉) | 500 V |
通道類型 | 獨(dú)立式 | 上升/下降時(shí)間(典型值) | 25ns,17ns |
驅(qū)動(dòng)器數(shù) | 2 | 工作溫度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
柵極類型 | IGBT,N 溝道 MOSFET | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
電壓 - 供電 | 3.3V ~ 20V | 封裝 | 16-SOIC |
IR2110STRPBF原理圖
IR2110STRPBF引腳圖
IR2110STRPBF封裝