IR3Y50U6 是一款由英飛凌(Infineon)推出的高效� N 沃特(N-Channel)功� MOSFET。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于需要高效能和高可靠性的電源管理應用。其封裝形式� DPAK(TO-252�,有助于簡化 PCB 布局并提供良好的散熱能力�
這款 MOSFET 廣泛應用� DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)�、電池保護以及各種工�(yè)和消費類電子設備中的功率�(zhuǎn)換電路�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�50A
導通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�27nC
工作溫度范圍�-55� to 150�
封裝形式:DPAK (TO-252)
存儲溫度范圍�-65� to 150�
IR3Y50U6 具有非常低的導通電�,能夠顯著降低功率損耗,并提升整體效�。其高電流承載能力和快速開�(guān)特性使其非常適合高頻應用�
器件�(nèi)部采用了�(yōu)化的芯片設計,確保在極端工作條件下的�(wěn)定性與可靠�。同時,其卓越的熱性能允許更高的功率密度和更小的散熱需��
DPAK 封裝提供了良好的電氣和機械性能,便于表面貼裝和自動化生�(chǎn)。此外,該器件符� RoHS 標準,滿足環(huán)保要求�
IR3Y50U6 主要用于以下領域�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. 電機控制與驅(qū)�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
4. 工業(yè)自動化設備中的功率級
5. 消費類電子產(chǎn)品中的負載開�(guān)
6. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變�
由于其高性能表現(xiàn),它也適用于汽車電子系統(tǒng)中的某些非關(guān)鍵功能模��
IRL50HEG
STP50NF06L
FDP5020
AON5006