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IRF1010EZS 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 18:07:22 查看 閱讀�10

IRF1010EZS 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道功率�(chǎng)效應(yīng)晶體� (MOSFET),采� TO-263 封裝。該器件�(zhuān)為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn)。它通常用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及逆變器等�(chǎng)景�
  IRF1010EZS 的主要優(yōu)�(shì)在于其優(yōu)化了 RDS(on) 和柵極電荷之間的平衡,從而降低了傳導(dǎo)損耗和�(kāi)�(guān)損�,適合需要高效率的應(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:50V
  連續(xù)漏極電流�38A
  �(dǎo)通電阻:1.7mΩ(典型值,Vgs=10V�
  柵極電荷�48nC
  總電容(輸入電容):1900pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
  封裝形式:TO-263

特�

IRF1010EZS 提供了卓越的性能表現(xiàn),特別是在高功率密度的應(yīng)用中�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了在大電流條件下較低的功��
  2. 快速的�(kāi)�(guān)速度使其非常適合高頻工作�(chǎng)景,能夠減少�(kāi)�(guān)損耗�
  3. 高額定電流支持多種功率級(jí)別的�(yīng)用需��
  4. 熱穩(wěn)定性好,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)行�
  5. �(nèi)部采用了 Vishay 先�(jìn)� MOSFET 技�(shù),保證了�(zhǎng)期使用的�(wěn)定性和耐用性�

�(yīng)�

這款 MOSFET 常見(jiàn)于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)控制�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的橋式配置�
  3. 太陽(yáng)能逆變器及電池管理系統(tǒng)�
  4. 各類(lèi)工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  5. LED 照明�(qū)�(dòng)器以�(shí)�(xiàn)高效�(diào)光功能�

替代型號(hào)

IRFZ44N, IRFP2907PBF, STP30NF06L

irf1010ezs推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

irf1010ezs資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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irf1010ezs參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C75A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 毫歐 @ 51A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs86nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2810pF @ 25V
  • 功率 - 最�140W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝管件
  • 其它名稱(chēng)*IRF1010EZS