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IRF1404PBF 發(fā)布時間 時間:2024/7/10 14:43:51 查看 閱讀:620

IRF1404PBF是一款功率MOSFET,屬于國際整流公司(International Rectifier)生產(chǎn)的產(chǎn)品之一。它采用了先進(jìn)的硅技術(shù),在高壓和高速開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該器件采用TO-220封裝,可以承受高達(dá)500V的電壓,最大漏電流為0.4mA。IRF1404PBF的最大導(dǎo)通電阻為0.0045Ω,最大額定電流為202A,最大功耗為330W。它還具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度、低輸入電容等特點(diǎn),因此非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、電源管理等高功率應(yīng)用領(lǐng)域。
  IRF1404PBF的特點(diǎn)如下:
  1、采用先進(jìn)的硅技術(shù),能夠承受高電壓和高速開關(guān)應(yīng)用。
  2、最大可承受電壓高達(dá)500V,最大漏電流為0.4mA。
  3、具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和低輸入電容等特點(diǎn)。
  4、適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、電源管理等高功率應(yīng)用領(lǐng)域。
  5、封裝采用TO-220,方便使用和安裝。

參數(shù)指標(biāo)

IRF1404PBF是一款高性能功率MOSFET,其主要參數(shù)和指標(biāo)如下:
  1、最大承受電壓:500V
  2、最大漏電流:0.4mA
  3、最大導(dǎo)通電阻:0.0045Ω
  4、最大額定電流:202A
  5、最大功耗:330W
  6、封裝形式:TO-220
  7、工作溫度范圍:-55℃ ~ 175℃

組成結(jié)構(gòu)

IRF1404PBF由P型襯底、N型漏源區(qū)、柵極、漏極等組成。
  1、P型襯底:是一種帶正電荷的硅襯底,用于提供MOSFET的結(jié)構(gòu)支撐和電性質(zhì)調(diào)節(jié)。
  2、N型漏源區(qū):是一片帶負(fù)電荷的硅片,用于與P型襯底形成PN結(jié),產(chǎn)生漏源結(jié)。
  3、柵極:是一片金屬片,用于控制MOSFET的導(dǎo)通和截止。
  4、漏極:是一片金屬片,用于連接電路的負(fù)極,也是MOSFET的輸出端。

工作原理

IRF1404PBF的工作原理基于MOSFET的三極管模型。當(dāng)柵極施加正電壓時,它會形成一個電場,將N型漏源區(qū)中的自由電子吸引到柵極附近,形成一個電子云。這個電子云中的自由電子會形成一個導(dǎo)電通道,使漏源區(qū)和柵極之間的電阻變得非常小,從而使電流得以通過MOSFET。當(dāng)柵極施加負(fù)電壓時,電場會消失,電子云會消失,MOSFET會截止,電流無法通過。

技術(shù)要點(diǎn)

1、采用先進(jìn)的硅技術(shù),能夠承受高電壓和高速開關(guān)應(yīng)用。
  2、最大可承受電壓高達(dá)500V,最大漏電流為0.4mA。
  3、具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和低輸入電容等特點(diǎn)。
  4、適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、電源管理等高功率應(yīng)用領(lǐng)域。
  5、封裝采用TO-220,方便使用和安裝。

設(shè)計(jì)流程

1、確定應(yīng)用場景:根據(jù)電路的需求和應(yīng)用場景,確定IRF1404PBF的使用條件。
  2、電路設(shè)計(jì):根據(jù)IRF1404PBF的參數(shù)和指標(biāo),設(shè)計(jì)合適的電路。
  3、PCB布局:根據(jù)電路設(shè)計(jì),進(jìn)行PCB布局設(shè)計(jì),保證電路的穩(wěn)定性和可靠性。
  4、元器件選型:根據(jù)電路設(shè)計(jì)和PCB布局,選擇合適的元器件,包括電容、電感、二極管等。
  5、PCB制作:根據(jù)PCB布局設(shè)計(jì),制作PCB板。
  6、元器件安裝:根據(jù)PCB布局和元器件選型,進(jìn)行元器件的安裝。
  7、調(diào)試測試:進(jìn)行電路調(diào)試和測試,驗(yàn)證電路的性能和可靠性。

注意事項(xiàng)

1、在使用IRF1404PBF時,應(yīng)注意防止靜電干擾,避免元器件損壞。
  2、在元器件安裝過程中,應(yīng)注意正確安裝方向,避免反向安裝和錯位安裝。
  3、在進(jìn)行電路調(diào)試和測試時,應(yīng)注意安全措施,避免觸電和短路等事故。
  4、在高功率應(yīng)用場景中,應(yīng)注意散熱和溫度控制,避免元器件損壞和電路失效。

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irf1404pbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C202A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫歐 @ 121A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs196nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5669pF @ 25V
  • 功率 - 最大333W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF1404PBF