IRF150P221AKMA1是一款由Vishay公司生產(chǎn)的功率MOSFET器件,屬于TrenchFET Gen III系列。該器件采用了先�(jìn)的溝槽技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特�,適合用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。其封裝形式為PowerPAK SO-8,具備良好的散熱性能和緊湊的尺寸�(shè)�(jì)�
該型�(hào)的MOSFET在工作時(shí)表現(xiàn)出優(yōu)異的�(dòng)�(tài)性能和較低的�(kāi)�(guān)損�,同�(shí)支持高頻操作,非常適合現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的要求�
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.2mΩ
柵極電荷(典型值)�69nC
總電容(輸入電容):1420pF
功耗:72W
工作溫度范圍�-55� to 175�
IRF150P221AKMA1的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,僅�2.2mΩ(典型值),這有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,可承受高達(dá)30A的連續(xù)漏極電流�
3. 小巧的PowerPAK SO-8封裝,能�?qū)崿F(xiàn)更高的功率密度,同時(shí)提供�(yōu)秀的熱性能�
4. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃至+175℃),使其能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 快速開(kāi)�(guān)特�,減少了�(kāi)�(guān)損�,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛設(shè)�(jì),滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)�(huán)保的要求�
IRF150P221AKMA1廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�,具體應(yīng)用包括:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中作為主功率管使��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的逆變橋臂或斬波控��
4. 各類(lèi)工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)和切換功��
6. 可再生能源系�(tǒng)(如太陽(yáng)能微逆變器)中的功率處理組件�
IRF150P220AKMA1, IRF150P222AKMA1