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IRF3415PBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/3/25 14:10:24 查看 閱讀：67

IRF3415PBF是一款由Vishay公司生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件采用TO-263-3封裝形式，適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻、高電流處理能力和出色的開(kāi)關(guān)性能。這種MOSFET通常用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。
　　IRF3415PBF具有較低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，能夠在高頻工作條件下提供高效的功率傳輸，并且具備良好的熱穩(wěn)定性。

參數(shù)

最大漏源電壓：55V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：49A
　　脈沖漏極電流：130A
　　導(dǎo)通電阻Rds(on)：4mΩ
　　柵極電荷Qg：78nC
　　總功耗：185W
　　結(jié)溫范圍：-55℃至175℃

特性

IRF3415PBF擁有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度，從而減少了導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。其設(shè)計(jì)使其能夠承受較高的峰值電流，同時(shí)保持較低的發(fā)熱水平。此外，該器件還具有優(yōu)異的雪崩能力，可以有效保護(hù)電路免受瞬態(tài)電壓的影響。
　　該MOSFET的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于開(kāi)關(guān)電源、電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)以及音頻功率放大器。它支持表面貼裝技術(shù)(SMT)，便于自動(dòng)化生產(chǎn)和提高可靠性。
　　在選擇使用此元件時(shí)，需要考慮散熱設(shè)計(jì)以確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行，特別是在大電流或高頻工作環(huán)境下。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流；
　　2. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制；
　　3. 各種類(lèi)型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路；
　　4. 計(jì)算機(jī)及其外設(shè)內(nèi)的負(fù)載切換功能；
　　5. 電信系統(tǒng)里的信號(hào)調(diào)節(jié)與功率分配環(huán)節(jié)。

替代型號(hào)

IRF3710TRPBF, IRFZ44N, FDP55N06L

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irf3415pbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C43A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C42 毫歐 @ 22A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs200nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2400pF @ 25V
  • 功率 - 最大200W
  • 安裝類(lèi)型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱(chēng)*IRF3415PBF