国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRF3709ZSTRRPBF

IRF3709ZSTRRPBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/9 17:13:55 查看 閱讀�365

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?



目錄

概述

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:邏輯電平門

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�6.3 毫歐 @ 21A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�30V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�87A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�2.25V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�26nC @ 4.5V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �2130pF @ 15V

    功率 - 最大:79W

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:D2Pak,TO-263�2 引線 + 接片�

    包裝:帶� (TR)

    供應商設備封裝:D2PAK



資料

廠商
Infineon Technologies

irf3709zstrrpbf推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf3709zstrrpbf資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irf3709zstrrpbf參數(shù)

  • 標準包裝800
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C87A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.3 毫歐 @ 21A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.25V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs26nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2130pF @ 15V
  • 功率 - 最�79W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應商設備封�D2PAK
  • 包裝帶卷 (TR)