類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�1.2 歐姆 @ 540mA, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�900mA
Id 時的 Vgs(th)(最大)�5.5V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�6.8nC @ 10V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �88pF @ 25V
功率 - 最大:2W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:Micro6?(TSOP-6)
包裝:帶� (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:Micro6?(TSOP-6)
廠商 |
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Infineon Technologies |