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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRF5803D2TR

IRF5803D2TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 8:29:49 查看 閱讀�24

IRF5803D2TR 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于各種功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�。其封裝形式� TO-263(D2PAK�,具有良好的散熱性能和耐用��
  這款 MOSFET 適用于需要高效能、低損耗的電路�(shè)�(jì),例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、逆變器以及電池管理等系統(tǒng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�18A
  �(dǎo)通電阻:2.9mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�37nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  功耗:27W(在 Ta=25°C 條件下)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-263(D2PAK�

特�

IRF5803D2TR 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了低功耗和高效的能量轉(zhuǎn)換�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度減少了開(kāi)�(guān)損�,適合高頻應(yīng)��
  3. 高額定電流支持大功率輸出�
  4. 寬工作溫度范圍使其能夠適�(yīng)惡劣�(huán)境下的運(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
  6. �(yōu)異的熱性能保證了長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠��
  7. 封裝�(jiān)固耐用,便于安裝和使用�

�(yīng)�

IRF5803D2TR 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  3. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng)�
  4. 逆變器和不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
  6. 汽車電子系統(tǒng)的負(fù)載切換和電源管理�
  7. 大功� LED �(qū)�(dòng)��

替代型號(hào)

IRF540N, IRFZ44N, FDP18N40

irf5803d2tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf5803d2tr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列FETKY™
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)二極管(隔離式)
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.4A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C112 毫歐 @ 3.4A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs37nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1110pF @ 25V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)