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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRF5803TRPBF

IRF5803TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/8/23 16:02:45 查看 閱讀�825

IRF5803TRPBF是一款HEXFET?單P溝道功率MOSFET,采用先�(jìn)的技�(shù),可實(shí)�(xiàn)極低的導(dǎo)通電�.這些性能為設(shè)�(jì)人員提供了一款效率極高的器件,可用于電池和�(fù)載管理應(yīng)�.非常適用于印刷電路板空間,以及非常寶貴的應(yīng)�.�(dú)特的散熱�(shè)�(jì)和低RDS(ON),使電流處理能力增加了�300%是DC開關(guān)和負(fù)載開�(guān)的理想選��

特性說�

超低�(dǎo)通電�
  P溝道MOSFET
  表面安裝
  有磁帶和卷軸兩種
  低柵極電�
  無鉛無鹵

技�(shù)參數(shù)

額定功率�1.3 W
  針腳�(shù)�
  漏源極電阻:0.112Ω
  極性:P-Channel
  耗散功率�2 W
  閾值電壓:3 V
  輸入電容�1110 pF
  漏源極電�(Vds)�40 V
  連續(xù)漏極電流(Ids)�3.4A
  上升�(shí)間:550 ns
  輸入電容(Ciss)�1110pF 25V(Vds)
  額定功率(Max)�2 W
  下降�(shí)間:50 ns
  工作溫度(Max)�150�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�2W(Ta)

封裝參數(shù)

安裝方式:Surface Mount
  引腳�(shù)�
  封裝:TSOT-23-6

外形尺寸

長度�3mm
  封裝:TSOT-23-6

物理參數(shù)

材質(zhì):Silicon
  工作溫度�-55℃~150�(TJ)

其他

�(chǎn)品生命周期:Active
  包裝方式:Tape&Reel(TR)
  制造應(yīng)用:電源管理

符合�(biāo)�(zhǔn)

RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
  含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free

irf5803trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf5803trpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irf5803trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C112 毫歐 @ 3.4A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs37nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1110pF @ 25V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.059"�1.50mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�Micro6?(TSOP-6�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF5803TRPBF-NDIRF5803TRPBFTR