IRF5803TRPBF是一款HEXFET?單P溝道功率MOSFET,采用先�(jìn)的技�(shù),可實(shí)�(xiàn)極低的導(dǎo)通電�.這些性能為設(shè)�(jì)人員提供了一款效率極高的器件,可用于電池和�(fù)載管理應(yīng)�.非常適用于印刷電路板空間,以及非常寶貴的應(yīng)�.�(dú)特的散熱�(shè)�(jì)和低RDS(ON),使電流處理能力增加了�300%是DC開關(guān)和負(fù)載開�(guān)的理想選��
超低�(dǎo)通電�
P溝道MOSFET
表面安裝
有磁帶和卷軸兩種
低柵極電�
無鉛無鹵
額定功率�1.3 W
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.112Ω
極性:P-Channel
耗散功率�2 W
閾值電壓:3 V
輸入電容�1110 pF
漏源極電�(Vds)�40 V
連續(xù)漏極電流(Ids)�3.4A
上升�(shí)間:550 ns
輸入電容(Ciss)�1110pF 25V(Vds)
額定功率(Max)�2 W
下降�(shí)間:50 ns
工作溫度(Max)�150�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�2W(Ta)
安裝方式:Surface Mount
引腳�(shù)�
封裝:TSOT-23-6
長度�3mm
封裝:TSOT-23-6
材質(zhì):Silicon
工作溫度�-55℃~150�(TJ)
�(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:Tape&Reel(TR)
制造應(yīng)用:電源管理
RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free