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IRF5806TRPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2023/3/10 13:55:11 查看 閱讀:310

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:HEXFET?

    


目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)型

    開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:86 毫歐 @ 4A, 4.5V

    漏極至源極電壓(Vdss):20V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:4A

    Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs:11.4nC @ 4.5V

    在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :594pF @ 15V

    功率 - 最大:2W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:Micro6?(TSOP-6)

    包裝:帶卷 (TR)

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:Micro6?(TSOP-6)


資料

廠商
Infineon / IR

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irf5806trpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4A
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C86 毫歐 @ 4A,4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs11.4nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds594pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP(0.059",1.50mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝Micro6?(TSOP-6)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF5806TRPBF-NDIRF5806TRPBFTR