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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRF640N

IRF640N 發(fā)布時間 時間�2025/3/25 14:09:40 查看 閱讀�96

IRF640N是一種N溝道增強型功率MOSFET,適用于高頻開關電源、DC-DC轉換�、逆變器和電機�(qū)動等應用。該器件采用TO-220封裝,具有低導通電阻和高開關速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功��

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  連續(xù)漏極電流�8A
  柵極閾值電壓:4V
  導通電阻(典型值)�0.18Ω
  總功耗:115W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

1. 高擊穿電�,可承受高達500V的漏源電壓�
  2. 較低的導通電�,在額定條件下僅�0.18Ω,有助于減少傳導損��
  3. 快速開關性能,支持高頻應用�
  4. �(nèi)置反向恢復二極管,適用于同步整流和續(xù)流電��
  5. 小信號控制兼容性,柵極�(qū)動電壓低�4V即可開啟�
  6. 工作溫度范圍�,適應各種惡劣環(huán)��

應用

1. 開關電源(SMPS)中的功率開關�
  2. DC-DC轉換器中的主開關或同步整流元��
  3. 逆變器設計中的功率級�(qū)動�
  4. 各種工業(yè)控制設備中的電機�(qū)動電��
  5. 電子負載和測試設備中的功率調(diào)節(jié)組件�
  6. 其他需要高�、高效功率切換的應用場景�

替代型號

IRF640,
  STP12NF50,
  FDP15N50,
  IXFN50N10T2

irf640n推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf640n資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irf640n參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫歐 @ 11A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1160pF @ 25V
  • 功率 - 最�150W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF640N