IRF640N是一種N溝道增強型功率MOSFET,適用于高頻開關電源、DC-DC轉換�、逆變器和電機�(qū)動等應用。該器件采用TO-220封裝,具有低導通電阻和高開關速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功��
最大漏源電壓:500V
連續(xù)漏極電流�8A
柵極閾值電壓:4V
導通電阻(典型值)�0.18Ω
總功耗:115W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 高擊穿電�,可承受高達500V的漏源電壓�
2. 較低的導通電�,在額定條件下僅�0.18Ω,有助于減少傳導損��
3. 快速開關性能,支持高頻應用�
4. �(nèi)置反向恢復二極管,適用于同步整流和續(xù)流電��
5. 小信號控制兼容性,柵極�(qū)動電壓低�4V即可開啟�
6. 工作溫度范圍�,適應各種惡劣環(huán)��
1. 開關電源(SMPS)中的功率開關�
2. DC-DC轉換器中的主開關或同步整流元��
3. 逆變器設計中的功率級�(qū)動�
4. 各種工業(yè)控制設備中的電機�(qū)動電��
5. 電子負載和測試設備中的功率調(diào)節(jié)組件�
6. 其他需要高�、高效功率切換的應用場景�
IRF640,
STP12NF50,
FDP15N50,
IXFN50N10T2