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IRF640NSPBF 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 18:02:38 查看 閱讀�10

IRF640NSPBF是一款N溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET),由Vishay公司生產。該器件采用TO-220封裝,廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動等需要高效功率控制的場景��
  這款MOSFET的主要特點是其低導通電阻和高擊穿電�,能夠在高頻條件下提供高效的功率切換性能。由于其�(yōu)異的電氣特性和可靠�,IRF640NSPBF成為許多工業(yè)和消費類應用中的熱門選擇�

參數

最大漏源電壓:500V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�9A
  脈沖漏極電流�38A
  導通電阻:0.3Ω(在Vgs=10V時)
  總功耗:125W
  結溫范圍�-55℃至+150�
  熱阻(結到殼):1.4°C/W

特�

IRF640NSPBF具有以下關鍵特性:
  1. 高擊穿電壓:500V,使其能夠適用于高壓�(huán)境下的電路設��
  2. 低導通電阻:在Vgs=10V�,Rds(on)�0.3Ω,減少了導通損�,提升了效率�
  3. 快速開關速度:得益于�(yōu)化的內部結構,能夠實現快速的開關動作,適合高頻應��
  4. �(wěn)定的溫度性能:能夠在-55℃至+150℃的結溫范圍內可靠工作,適應極端�(huán)境條��
  5. 可靠性高:通過了多種工�(yè)級測�,確保長期使用中的穩(wěn)定性和耐用��
  6. 封裝形式:采用標準TO-220封裝,便于散熱和安裝,兼容性強�

應用

IRF640NSPBF的應用領域包括但不限于:
  1. 開關電源(SMPS):用于功率轉換和控�,提供高效穩(wěn)定的輸出�
  2. DC-DC轉換器:在直流電壓轉換中作為功率開關元件�
  3. 電機驅動:控制電機的啟動、停止及速度調節(jié)�
  4. 逆變器:將直流電轉換為交流電,應用于光伏系統或其他電力設��
  5. 電池保護電路:防止過充或過放,保護電池組安全�
  6. 工業(yè)自動化:用于各種工業(yè)控制系統中的功率控制模塊�
  7. 消費類電子產品:如家�、LED驅動等需要功率控制的場景�

替代型號

IRF640G, IRF640NTRPBF, STP17NF50

irf640nspbf推薦供應� 更多>

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irf640nspbf參數

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫歐 @ 11A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1160pF @ 25V
  • 功率 - 最�150W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應商設備封�D2PAK
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF640NSPBF