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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRF640NSTRLPBF

IRF640NSTRLPBF 發(fā)布時間 時間�2024/3/15 10:31:46 查看 閱讀�612

  IRF640NSTRLPBF是一款N溝道MOSFET晶體�,由國際整流器(International Rectifier)公司生�(chǎn)。它是一種高性能功率MOSFET,適用于各種�(yīng)用領(lǐng)�,包括電源管�、電�(jī)控制、照�、工�(yè)自動化等�
  IRF640NSTRLPBF具有以下主要特點(diǎn)�
  1、低�(dǎo)通電阻:IRF640NSTRLPBF具有較低的導(dǎo)通電�,可�(shí)�(xiàn)較低的功耗和高效率�
  2、高控制電壓:該晶體管可承受高達(dá)20V的控制電�,使其適用于各種電路控制�(yīng)用�
  3、高電流承載能力:IRF640NSTRLPBF能夠承受較高的電�,最大連續(xù)漏極電流可達(dá)18A,適用于高功率應(yīng)��
  4、高耐壓能力:該晶體管具有較高的耐壓能力,最大漏�-源極耐受電壓�200V,可在高電壓�(huán)境下使用�
  5、TO-220封裝:IRF640NSTRLPBF采用TO-220封裝,便于安裝和散熱,適用于各種電路板設(shè)計�

參數(shù)指標(biāo)

  �(dǎo)通電阻(RDS(ON)):最大值為0.18Ω,通常值為0.14Ω   最大漏�-源極電壓(VDS):200V   最大漏極電流(ID):18A   最大柵�-源極電壓(VGS):±20V   靜態(tài)工作�(diǎn)(IDSS):最大值為1mA,通常值為0.2mA   級聯(lián)電阻(RG):最小值為4.7Ω,最大值為6.8Ω

組成�(jié)�(gòu)

IRF640NSTRLPBF采用N溝道MOSFET�(jié)�(gòu),由漏極、源極和柵極組成。柵極與漏極、源極之間分別通過絕緣層隔��

工作原理

IRF640NSTRLPBF的工作原理基于MOSFET的工作原�。當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓(通常�2-4V)時,柵極與漏極之間形成�(dǎo)電通道,電流可以通過。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時,導(dǎo)電通道�(guān)�,電流無法通過�

技�(shù)要點(diǎn)

�(yōu)異的�(dǎo)通特性:IRF640NSTRLPBF具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能�,能�?qū)崿F(xiàn)高效率的功率傳輸�
  耐壓能力�(qiáng):IRF640NSTRLPBF的漏�-源極耐受電壓�200V,適用于高壓�(yīng)��
  控制電壓范圍廣:IRF640NSTRLPBF的控制電壓范圍為±20V,適用于各種電路控制�(yīng)��

�(shè)計流�

�(shè)計使用IRF640NSTRLPBF的電路時,可以按照以下步驟�(jìn)行:
  確定電路的輸入和輸出要求�
  根據(jù)要求選擇合適的控制電�、電流和耐壓能力�
  考慮散熱和封裝形�,選擇適合的封裝類型�
  �(jìn)行電路設(shè)計和布局,包括柵極驅(qū)動電路和保護(hù)電路的設(shè)��
  �(jìn)行電路仿真和�(yàn)��
  制作原型電路�(jìn)行實(shí)際測試和性能評估�
  �(jìn)行電路的�(diào)試和�(yōu)��

常見故障及預(yù)防措�

過熱:由于IRF640NSTRLPBF在高功率�(yīng)用中可能�(chǎn)生較大的熱量,需注意散熱問題??梢圆捎蒙崞蝻L(fēng)扇�(jìn)行散�,確保晶體管工作在適�(dāng)?shù)臏囟确秶�?nèi)�
  過壓:IRF640NSTRLPBF具有較高的耐壓能力,但若超過其額定的漏�-源極電壓�200V�,可能導(dǎo)�?lián)p�。因�,在�(shè)計電路時,要確保電壓在額定范圍內(nèi),并考慮電壓的穩(wěn)定性�
  過流:IRF640NSTRLPBF的最大漏極電流為18A,若超過該數(shù)�,可能導(dǎo)致晶體管損壞。因�,在電路�(shè)計中,需合理選擇電流�,并考慮電流的穩(wěn)定��
  閾值電壓變化:IRF640NSTRLPBF的閾值電壓可能存在一定的偏差。在�(shè)計電路時,需考慮這一偏差,并�(jìn)行校�(zhǔn)或補(bǔ)償,以確保電路的�(wěn)定��

irf640nstrlpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf640nstrlpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫歐 @ 11A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1160pF @ 25V
  • 功率 - 最�150W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF640NSTRLPBF-NDIRF640NSTRLPBFTR