IRF640PBF是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,由Vishay公司生產(chǎn)。該器件采用了TO-220封裝形式,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)控制以及其他需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通損耗的電路中�
IRF640PBF以其較低的導(dǎo)通電阻和較高的擊穿電壓而著�,能夠在高頻�(yīng)用中提供高效的性能表現(xiàn)。其主要特點(diǎn)是高擊穿電壓�600V�、低柵極電荷以及良好的開�(guān)特��
最大漏源電壓:600V
最大柵源電壓:±20V
漏極電流(連續(xù)):8A
脈沖漏極電流�57A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.36Ω(在Vgs=10V�(shí)�
功耗(PD):115W(在TA=25℃時(shí)�
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝形式:TO-220
IRF640PBF具備以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓(600V),適合高壓�(yīng)用環(huán)��
2. 較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)=0.36Ω�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高效率�
3. 快速開�(guān)能力,能夠適�(yīng)高頻開關(guān)�(yīng)用�
4. 柵極電荷較小,驅(qū)�(dòng)更加容易�
5. 具備較強(qiáng)的抗雪崩能力,提升了器件的魯棒��
6. TO-220封裝形式,散熱性能良好,適合功率應(yīng)��
IRF640PBF主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)�
3. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
4. 逆變器及電子�(fù)載中的功率級(jí)開關(guān)�
5. 電池保護(hù)和充放電管理電路�
6. 繼電器替代方�,用于高效開�(guān)控制�
7. 一般工�(yè)及消�(fèi)電子中的功率管理模塊�
IRF640N, IRF640BPBF, STP16NF06, FQP16N60C