国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IRF640STRLPBF

IRF640STRLPBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/9 16:57:07 查看 閱讀�689

    類別:分離式半導體產�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

   


目錄

概述

    類別:分離式半導體產�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標準型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�180 毫歐 @ 11A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�200V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�18A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�70nC @ 10V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �1300pF @ 25V

    功率 - 最大:130W

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:D2Pak,TO-263�2 引線 + 接片�

    包裝:帶� (TR)

    供應商設備封裝:*


資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

irf640strlpbf推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf640strlpbf資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irf640strlpbf參數

  • 數據列表IRF640S, LPBF
  • 標準包裝800
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫歐 @ 11A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs70nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
  • 功率 - 最�130W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應商設備封�TO-263(D2Pak�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF640STRLPBF-NDIRF640STRLPBFTR