類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
系列:-
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8.3 毫歐 @ 12.7A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:12.7A
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):2.25V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs:29nC @ 4.5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :2560pF @ 20V
功率 - 最大:2.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:DirectFET? 等容 ST
包裝:剪切帶 (CT)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:DIRECTFET? ST
其它名稱:IRF6614TRPBFCT
廠商 |
---|
Infineon Technologies |