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IRF6614TRPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/3/9 16:55:25 查看 閱讀：659

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-


目錄

概述

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

    FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

    FET 特點(diǎn)：邏輯電平門

    開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.3 毫歐 @ 12.7A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss)：40V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：12.7A

    Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.25V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：29nC @ 4.5V

    在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：2560pF @ 20V

    功率 - 最大：2.1W

    安裝類型：表面貼裝

    封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST

    包裝：剪切帶 (CT)

    供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? ST

    其它名稱：IRF6614TRPBFCT



資料

廠商
Infineon Technologies

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
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irf6614trpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝4,800
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12.7A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C8.3 毫歐 @ 12.7A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.25V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs29nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2560pF @ 20V
  • 功率 - 最大2.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼DirectFET? 等容 ST
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝DIRECTFET? ST
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF6614TRPBFTR