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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IRF6622TRPBF

IRF6622TRPBF 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 9:47:19 查看 閱讀�25

IRF6622TRPBF是一款由Infineon(英飛凌)生產的N溝道增強型功率MOSFET,采用Trench技術制造。該器件具有低導通電阻和開關應用,例如DC-DC轉換器、電機驅動以及負載開關等。其封裝形式為PQFN5*6-8L,能夠提供出色的散熱性能和緊湊的設計�

參數

最大漏源電壓:55V
  連續(xù)漏極電流�34A
  導通電阻(典型值)�3.9mΩ
  柵極電荷(典型值)�10nC
  輸入電容(典型值)�1250pF
  工作溫度范圍�-55� to 150�
  封裝類型:PQFN5*6-8L

特�

IRF6622TRPBF具備非常低的導通電�,這使得它在高電流應用中表現出較低的功耗和�(fā)�。此�,該器件的柵極電荷較小,有助于實現更快的開關速度,從而提高整體效率并減少電磁干擾。其緊湊的PQFN封裝非常適合空間受限的應用場�,同時還能滿足高性能需��
  由于采用了先進的Trench MOSFET技�,IRF6622TRPBF能夠在高頻條件下保持較高的效率,并且具備較強的耐用性和可靠�。這些特點使其成為消費電子、工�(yè)設備及汽車電子領域中的理想選擇�

應用

這款MOSFET廣泛應用于各種電力電子系�(tǒng),包括但不限于:
  - DC-DC轉換�
  - 開關電源(SMPS)
  - 電機驅動電路
  - 負載開關
  - 電池管理系統(tǒng)(BMS)
  - 汽車電子控制單元(ECU)和其他需要高效功率切換的應用場合�

替代型號

IRF6622TRPBF, BSC039N06NS3, FDP17N06L

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irf6622trpbf資料 更多>

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irf6622trpbf參數

  • 標準包裝4,800
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C15A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.3 毫歐 @ 15A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 25µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs17nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1450pF @ 13V
  • 功率 - 最�2.2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼DirectFET? 等容 SQ
  • 供應商設備封�DIRECTFET? SQ
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 配用IRDC3622S-ND - BOARD EVALUATION W/IR3622MPBFIRDC3622D-ND - BOARD EVAL W/IR3622MPBF DUAL OUT
  • 其它名稱IRF6622TRPBF-NDIRF6622TRPBFTR