IRF6622TRPBF是一款由Infineon(英飛凌)生產的N溝道增強型功率MOSFET,采用Trench技術制造。該器件具有低導通電阻和開關應用,例如DC-DC轉換器、電機驅動以及負載開關等。其封裝形式為PQFN5*6-8L,能夠提供出色的散熱性能和緊湊的設計�
最大漏源電壓:55V
連續(xù)漏極電流�34A
導通電阻(典型值)�3.9mΩ
柵極電荷(典型值)�10nC
輸入電容(典型值)�1250pF
工作溫度范圍�-55� to 150�
封裝類型:PQFN5*6-8L
IRF6622TRPBF具備非常低的導通電�,這使得它在高電流應用中表現出較低的功耗和�(fā)�。此�,該器件的柵極電荷較小,有助于實現更快的開關速度,從而提高整體效率并減少電磁干擾。其緊湊的PQFN封裝非常適合空間受限的應用場�,同時還能滿足高性能需��
由于采用了先進的Trench MOSFET技�,IRF6622TRPBF能夠在高頻條件下保持較高的效率,并且具備較強的耐用性和可靠�。這些特點使其成為消費電子、工�(yè)設備及汽車電子領域中的理想選擇�
這款MOSFET廣泛應用于各種電力電子系�(tǒng),包括但不限于:
- DC-DC轉換�
- 開關電源(SMPS)
- 電機驅動電路
- 負載開關
- 電池管理系統(tǒng)(BMS)
- 汽車電子控制單元(ECU)和其他需要高效功率切換的應用場合�
IRF6622TRPBF, BSC039N06NS3, FDP17N06L