類別:分離式半導體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列�-
類別:分離式半導體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列�-
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�34.5 毫歐 @ 7.6A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�6.2A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�4.9V @ 150μA
閘電�(Qg) @ Vgs�55nC @ 10V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �2340pF @ 25V
功率 - 最大:2.8W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:DirectFET? 等容 MZ
包裝:帶� (TR)
供應商設備封裝:DIRECTFET? MZ
其它名稱:IRF6643TRPBF-NDIRF6643TRPBFTR
廠商 |
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Infineon / IR |