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IRF6643TRPBF 發(fā)布時間 時間：2023/3/9 16:48:58 查看 閱讀：320

    類別：分離式半導體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

  


目錄

概述

    類別：分離式半導體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

    FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

    FET 特點：標準型

    開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：34.5 毫歐 @ 7.6A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss)：150V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：6.2A

    Id 時的 Vgs(th)（最大）：4.9V @ 150μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：55nC @ 10V

    在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：2340pF @ 25V

    功率 - 最大：2.8W

    安裝類型：表面貼裝

    封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ

    包裝：帶卷 (TR)

    供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ

    其它名稱：IRF6643TRPBF-NDIRF6643TRPBFTR



資料

廠商
Infineon / IR

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irf6643trpbf參數(shù)

  • 標準包裝4,800
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.2A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C34.5 毫歐 @ 7.6A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）4.9V @ 150µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs55nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2340pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.8W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼DirectFET? 等容 MZ
  • 供應商設備封裝DIRECTFET? MZ
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF6643TRPBF-NDIRF6643TRPBFTR