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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRF6643TRPBF

IRF6643TRPBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/9 16:48:58 查看 閱讀�320

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

  


目錄

概述

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標準型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�34.5 毫歐 @ 7.6A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�150V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�6.2A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�4.9V @ 150μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�55nC @ 10V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �2340pF @ 25V

    功率 - 最大:2.8W

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:DirectFET? 等容 MZ

    包裝:帶� (TR)

    供應商設備封裝:DIRECTFET? MZ

    其它名稱:IRF6643TRPBF-NDIRF6643TRPBFTR



資料

廠商
Infineon / IR

irf6643trpbf推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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irf6643trpbf資料 更多>

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irf6643trpbf參數(shù)

  • 標準包裝4,800
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C34.5 毫歐 @ 7.6A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4.9V @ 150µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs55nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2340pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.8W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼DirectFET? 等容 MZ
  • 供應商設備封�DIRECTFET? MZ
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF6643TRPBF-NDIRF6643TRPBFTR