類別:分離式半導體產(chǎn)品
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
系列:-
類別:分離式半導體產(chǎn)品
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:34.5 毫歐 @ 7.6A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:6.2A
Id 時的 Vgs(th)(最大):4.9V @ 150μA
閘電荷(Qg) @ Vgs:55nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :2340pF @ 25V
功率 - 最大:2.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:DirectFET? 等容 MZ
包裝:帶卷 (TR)
供應商設備封裝:DIRECTFET? MZ
其它名稱:IRF6643TRPBF-NDIRF6643TRPBFTR
廠商 |
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Infineon / IR |