類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
系列:-
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:22 毫歐 @ 8.2A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:8.3A
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4.9V @ 100?A
閘電荷(Qg) @ Vgs:31nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :1360pF @ 25V
功率 - 最大:2.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:DirectFET? 等容 MZ
包裝:剪切帶 (CT)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:DIRECTFET? MZ
其它名稱:IRF6662TRPBFCT
廠商 |
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Infineon Technologies |