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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/26 15:36:37 查看 閱讀�457

IRF7103TRPBF是一款N溝道MOSFET晶體管,由國(guó)際整流器公司(International Rectifier Corporation)生產(chǎn)。它采用了先�(jìn)的MOSFET技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度等優(yōu)�(diǎn),在電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電池管理和功率�(zhuǎn)換等�(lǐng)域得到廣泛應(yīng)��
  IRF7103TRPBF的操作原理是基于MOSFET晶體管的工作原理。當(dāng)控制電壓施加在柵極上�(shí),柵極和源極之間的電容會(huì)充電,柵極形成電�(chǎng),使得源極和漏極之間的通道中形成一�(gè)N型溝�,從而允許電流通過(guò)。當(dāng)控制電壓去除�(shí),柵極電容中的電荷會(huì)慢慢地流�,從而關(guān)閉通道,停止電流流�(dòng)。IRF7103TRPBF的控制電壓范圍是0-20V,最大漏極電流是1.4A,最大漏極電壓是30V�

基本�(jié)�(gòu)

IRF7103TRPBF由四�(gè)區(qū)域組�,分別是漏極區(qū)、源極區(qū)、柵極區(qū)和襯底區(qū)。漏極區(qū)和源極區(qū)是由N型硅材料制成,柵極區(qū)是由P型硅材料制成,襯底區(qū)是由P型硅材料制成。柵極區(qū)與漏極區(qū)和源極區(qū)之間分別形成PN�(jié),當(dāng)柵極施加正向電壓�(shí),PN�(jié)�(huì)逆偏,從而阻止電流流�(dòng);當(dāng)柵極施加�(fù)向電壓時(shí),PN�(jié)�(huì)正偏,從而允許電流流�(dòng)�

參數(shù)

IRF7103TRPBF的主要參�(shù)包括最大漏極電壓(VDS)為30V,最大漏極電流(ID)為71A,最大功耗(PD)為97W,導(dǎo)通電阻(RDS(on))為5.1mΩ,柵極電荷(Qg)為36nC,開(kāi)�(guān)�(shí)間(tD(on)/tD(off))為7.5ns/20ns��

特點(diǎn)

1、低�(dǎo)通電阻:IRF7103TRPBF的導(dǎo)通電阻為5.1mΩ,能夠降低功耗和溫升,提高效��
  2、高速開(kāi)�(guān)速度:IRF7103TRPBF的開(kāi)�(guān)�(shí)間為7.5ns/20ns,能夠提高系�(tǒng)響應(yīng)速度和穩(wěn)定性�
  3、低電源噪聲:IRF7103TRPBF能夠降低電源噪聲,提高系�(tǒng)的EMI性能�
  4、可靠性高:IRF7103TRPBF采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具有較高的抗沖擊和抗振�(dòng)能力,能夠提高系�(tǒng)的可靠性�

工作原理

IRF7103TRPBF是一種N溝道MOSFET,其工作原理是通過(guò)控制柵極電壓�(lái)控制漏極電流。當(dāng)柵極電壓為正值時(shí),電子會(huì)被引入溝�,形成導(dǎo)電通道,從而形成漏極電�。當(dāng)柵極電壓為負(fù)值時(shí),漏極電流被截止,從而實(shí)�(xiàn)�(kāi)�(guān)控制�

�(yīng)�

IRF7103TRPBF廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源開(kāi)�(guān)和DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。例�,用于AC-DC電源�(kāi)�(guān)、汽�(chē)電子、通訊�(shè)備、計(jì)算機(jī)�(shè)�、工�(yè)控制、航空航天等�(lǐng)��

安裝

IRF7103TRPBF采用TO-220AB封裝,安裝時(shí)需要注意以下事�(xiàng)�
  1、確保散熱器和電路板的接觸良好,以便散熱�
  2、確保引腳正常插入電路板,避免引腳彎曲或失配�
  3、確保引腳焊接質(zhì)量良�,避免引腳斷裂或松動(dòng)�

irf7103trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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irf7103trpbf資料 更多>

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irf7103trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)50V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫歐 @ 3A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds290pF @ 25V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)IRF7103PBFTR