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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRF7233TR

IRF7233TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 11:16:02 查看 閱讀�19

IRF7233TR是英飛凌(Infineon)公司生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用Trench工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于高頻開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)��
  該芯片封裝為TO-252(DPAK�,具有良好的散熱性能和緊湊的尺寸�(shè)�(jì),能夠滿足各種高效能需求的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�28A
  �(dǎo)通電阻:9.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�45nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=15ns,toff=15ns
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

IRF7233TR具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境,減少�(kāi)�(guān)損��
  3. 小型化封裝設(shè)�(jì),有助于�(jiǎn)化PCB布局并節(jié)省空��
  4. �(nèi)置反向二極管功能,支持續(xù)流路��
  5. 良好的熱�(wěn)定性和可靠性,可適�(yīng)寬溫范圍的工作條��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛設(shè)�(jì)�
  由于其出色的電氣性能和可靠�,IRF7233TR被廣泛應(yīng)用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)的場(chǎng)��

�(yīng)�

IRF7233TR適用于多種工�(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備中的功率控制場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS),包括AC-DC適配器和充電��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于筆記本電腦、平板電腦及通信�(shè)備供��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如步�(jìn)電機(jī)、直流無(wú)刷電�(jī)��
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和繼電器替代方案�
  5. LED�(qū)�(dòng)�,提供精確的電流控制以確保照明效果�
  總之,任何需要高性能功率�(kāi)�(guān)的場(chǎng)合都可以考慮使用IRF7233TR�

替代型號(hào)

IRF7233G, IRF7233LPBF, STP16NF06L, FDP17N6S

irf7233tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf7233tr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 9.5A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)600mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs74nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds6000pF @ 10V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)