IRF7233TRPBF是來自Infineon(英飛凌)的N溝道增強型MOSFET晶體�,采用TOL封裝形式。該器件廣泛應用于開關電�、電機驅動、DC-DC轉換器等場景�,具有低導通電阻和快速開關特性�
其設計目的是在高頻開關應用中提供高效率和低損耗性能,同時支持表面貼裝技術(SMD�,方便自動化生產(chǎn)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�39nC
開關速度:非?�?br> 功耗:根據(jù)實際電路條件動態(tài)變化
工作溫度范圍�-55� � 150�
IRF7233TRPBF的主要特點是低導通電阻和高效�。具體表�(xiàn)為:
1. 極低的Rds(on)值(4.5mΩ典型值),能夠在高電流應用場景下減少傳導損��
2. 快速的開關速度,得益于較小的柵極電荷量�39nC�,適用于高頻開關應用�
3. 高雪崩能力及熱穩(wěn)定�,確保了在惡劣環(huán)境下的可靠性�
4. 支持表面貼裝工藝(SMD�,便于現(xiàn)代工�(yè)制造流��
5. 工作結溫范圍寬廣�-55℃至150℃),適應多種溫度環(huán)境需求�
該型號MOSFET適合于多種電力電子應用領�,包括但不限于以下場景:
1. 開關電源(SMPS)中的功率級開關�
2. 電機驅動電路,用于控制直流無刷電機或其他類型電機�
3. DC-DC轉換器的核心元件,用以實�(xiàn)高效能量轉換�
4. 各類負載切換和保護電��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制回路�
IRF7233TRPBF, IRF7233TRPBF-Q, BSC018N06NS3