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IRF7233TRPBF 發(fā)布時間 時間:2025/5/8 19:28:55 查看 閱讀:23

IRF7233TRPBF是來自Infineon(英飛凌)的N溝道增強型MOSFET晶體管,采用TOL封裝形式。該器件廣泛應用于開關電源、電機驅動、DC-DC轉換器等場景中,具有低導通電阻和快速開關特性。
  其設計目的是在高頻開關應用中提供高效率和低損耗性能,同時支持表面貼裝技術(SMD),方便自動化生產(chǎn)。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:18A
  導通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷:39nC
  開關速度:非�?�
  功耗:根據(jù)實際電路條件動態(tài)變化
  工作溫度范圍:-55℃ 至 150℃

特性

IRF7233TRPBF的主要特點是低導通電阻和高效率。具體表現(xiàn)為:
  1. 極低的Rds(on)值(4.5mΩ典型值),能夠在高電流應用場景下減少傳導損耗。
  2. 快速的開關速度,得益于較小的柵極電荷量(39nC),適用于高頻開關應用。
  3. 高雪崩能力及熱穩(wěn)定性,確保了在惡劣環(huán)境下的可靠性。
  4. 支持表面貼裝工藝(SMD),便于現(xiàn)代工業(yè)制造流程。
  5. 工作結溫范圍寬廣(-55℃至150℃),適應多種溫度環(huán)境需求。

應用

該型號MOSFET適合于多種電力電子應用領域,包括但不限于以下場景:
  1. 開關電源(SMPS)中的功率級開關。
  2. 電機驅動電路,用于控制直流無刷電機或其他類型電機。
  3. DC-DC轉換器的核心元件,用以實現(xiàn)高效能量轉換。
  4. 各類負載切換和保護電路。
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制回路。

替代型號

IRF7233TRPBF, IRF7233TRPBF-Q, BSC018N06NS3

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  • 產(chǎn)品型號
  • 供應商
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  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf7233trpbf參數(shù)

  • 標準包裝4,000
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 9.5A,4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)600mV @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs74nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds6000pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商設備封裝8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF7233PBFTRIRF7233TRPBF-NDIRF7233TRPBFTR-ND