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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRF7233TRPBF

IRF7233TRPBF 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 19:28:55 查看 閱讀�23

IRF7233TRPBF是來自Infineon(英飛凌)的N溝道增強型MOSFET晶體�,采用TOL封裝形式。該器件廣泛應用于開關電�、電機驅動、DC-DC轉換器等場景�,具有低導通電阻和快速開關特性�
  其設計目的是在高頻開關應用中提供高效率和低損耗性能,同時支持表面貼裝技術(SMD�,方便自動化生產(chǎn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�18A
  導通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷�39nC
  開關速度:非?�?br>  功耗:根據(jù)實際電路條件動態(tài)變化
  工作溫度范圍�-55� � 150�

特�

IRF7233TRPBF的主要特點是低導通電阻和高效�。具體表�(xiàn)為:
  1. 極低的Rds(on)值(4.5mΩ典型值),能夠在高電流應用場景下減少傳導損��
  2. 快速的開關速度,得益于較小的柵極電荷量�39nC�,適用于高頻開關應用�
  3. 高雪崩能力及熱穩(wěn)定�,確保了在惡劣環(huán)境下的可靠性�
  4. 支持表面貼裝工藝(SMD�,便于現(xiàn)代工�(yè)制造流��
  5. 工作結溫范圍寬廣�-55℃至150℃),適應多種溫度環(huán)境需求�

應用

該型號MOSFET適合于多種電力電子應用領�,包括但不限于以下場景:
  1. 開關電源(SMPS)中的功率級開關�
  2. 電機驅動電路,用于控制直流無刷電機或其他類型電機�
  3. DC-DC轉換器的核心元件,用以實�(xiàn)高效能量轉換�
  4. 各類負載切換和保護電��
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制回路�

替代型號

IRF7233TRPBF, IRF7233TRPBF-Q, BSC018N06NS3

irf7233trpbf推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf7233trpbf參數(shù)

  • 標準包裝4,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 9.5A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)600mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs74nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds6000pF @ 10V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF7233PBFTRIRF7233TRPBF-NDIRF7233TRPBFTR-ND