IRF7233TRPBF是來自Infineon(英飛凌)的N溝道增強型MOSFET晶體管,采用TOL封裝形式。該器件廣泛應用于開關電源、電機驅動、DC-DC轉換器等場景中,具有低導通電阻和快速開關特性。
其設計目的是在高頻開關應用中提供高效率和低損耗性能,同時支持表面貼裝技術(SMD),方便自動化生產(chǎn)。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:18A
導通電阻:4.5mΩ
柵極電荷:39nC
開關速度:非�?�
功耗:根據(jù)實際電路條件動態(tài)變化
工作溫度范圍:-55℃ 至 150℃
IRF7233TRPBF的主要特點是低導通電阻和高效率。具體表現(xiàn)為:
1. 極低的Rds(on)值(4.5mΩ典型值),能夠在高電流應用場景下減少傳導損耗。
2. 快速的開關速度,得益于較小的柵極電荷量(39nC),適用于高頻開關應用。
3. 高雪崩能力及熱穩(wěn)定性,確保了在惡劣環(huán)境下的可靠性。
4. 支持表面貼裝工藝(SMD),便于現(xiàn)代工業(yè)制造流程。
5. 工作結溫范圍寬廣(-55℃至150℃),適應多種溫度環(huán)境需求。
該型號MOSFET適合于多種電力電子應用領域,包括但不限于以下場景:
1. 開關電源(SMPS)中的功率級開關。
2. 電機驅動電路,用于控制直流無刷電機或其他類型電機。
3. DC-DC轉換器的核心元件,用以實現(xiàn)高效能量轉換。
4. 各類負載切換和保護電路。
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制回路。
IRF7233TRPBF, IRF7233TRPBF-Q, BSC018N06NS3