IRF7301TR 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的雙通道 N 溝道增強� MOSFET 功率晶體�,采� TSSOP-8 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用中�
該器件通過將兩個獨立的 MOSFET 集成到一個封裝內(nèi),簡化了電路�(shè)計并節(jié)省了空間。同時,其優(yōu)異的電氣特性和可靠性使其成為許多工�(yè)和消費類電子�(chǎn)品的理想選擇�
型號:IRF7301TR
類型:N 溝道增強� MOSFET
封裝:TSSOP-8
漏源極電�(Vds)�30V
柵源極電�(Vgs):�12V
連續(xù)漏極電流(Id)�4.9A(單� MOSFET)
脈沖漏極電流�16A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�8mΩ(在 Vgs=10V 時)
柵極電荷(Qg)�25nC
總功�(Ptot)�1.4W
工作溫度范圍�-55� � +150�
IRF7301TR 的主要特性包括:
1. 雙通道�(shè)�,集成兩個獨立的 N 溝道 MOSFET,在單一封裝�(nèi)實現(xiàn)多種功能�
2. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 8mΩ,顯著降低了傳導(dǎo)損�,提高了效率�
3. 高速開�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用場��
4. 小型� TSSOP-8 封裝,適合對空間要求較高的緊湊型�(shè)��
5. 寬泛的工作溫度范� (-55� � +150�),確保在極端�(huán)境下�(wěn)定運��
6. 提供過熱保護和短路保護功�,增強了系統(tǒng)的安全性和可靠性�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛工藝制��
IRF7301TR 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)�
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS) 中的�(fù)載開�(guān)和保護電��
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電機驅(qū)動和繼電器替代方��
4. 消費類電子產(chǎn)品如智能手機和平板電腦中的充電接口保��
5. LED 照明�(qū)動電路中的恒流控��
6. 通信�(shè)備中的信號切換和功率放大�
7. 任何需要高性能、小尺寸 MOSFET 的應(yīng)用場��
IRF7302TR, SI4470DY