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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRF7313TRPBF

IRF7313TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/19 14:30:52 查看 閱讀�405

IRF7313TRPBF是一款N溝道和P溝道MOSFET集成在同一芯片上的雙極性晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT)驅(qū)�(dòng)�。它適用于直流至高頻率的�(kāi)�(guān)�(yīng)�,包括電源開(kāi)�(guān)、電�(dòng)工具、電�(dòng)�(jī)控制、照明控制等�(lǐng)�。IRF7313TRPBF具有低開(kāi)啟延�、高�(qū)�(dòng)能力和低靜態(tài)功耗等特點(diǎn),在高效率和高可靠性的�(yīng)用中廣泛使用�
  MOSFET是一種半�(dǎo)體器件,由P型或N型半�(dǎo)體材料形成的源極、漏極和柵極組成。在MOSFET�,當(dāng)柵極施加正電壓時(shí),會(huì)在柵極與漏極之間形成一�(gè)電場(chǎng),將P型或N型半�(dǎo)體形成的電子匯集到柵極下�,從而在柵極與源極之間形成一�(gè)�(dǎo)電通道,使得漏極與源極之間的電阻降�,從而導(dǎo)�。當(dāng)柵極施加�(fù)電壓�(shí),電子將被排斥到�(yuǎn)離柵極的區(qū)�,導(dǎo)電通道�(guān)�,MOSFET截止�

基本�(jié)�(gòu)

IRF7313TRPBF的基本結(jié)�(gòu)包括:源�、漏極和柵極,其中源極和漏極均為N型材�,柵極為P型材�。源極和漏極之間的距離非常短,形成了一�(gè)非常短的�(dǎo)電通道。IRF7313TRPBF的封裝形式為SOT-23,尺寸為2.9mm x 1.3mm x 1.1mm�

參數(shù)

●典型的N溝道MOSFET漏極電阻(RDS(on))�11mΩ
  ●典型的P溝道MOSFET漏極電阻(RDS(on))�19mΩ
  ●最大承受電壓(VCEO):40V
  ●最大承受電流(IC):6A
  ●最大功率(Pd):1.25W
  ●工作溫度范圍(Tj):-40� ~ +150�

特點(diǎn)

1、雙極性晶體管�(qū)�(dòng)�
  2、集成了N溝道和P溝道MOSFET
  3、低�(kāi)啟延�
  4、高�(qū)�(dòng)能力
  5、低靜態(tài)功�
  6、高效率和高可靠�

工作原理

IRF7313TRPBF的工作原理基于雙極性晶體管的工作原�。它由一�(gè)NPN型晶體管和一�(gè)PNP型晶體管組成,可以通過(guò)控制基極電流�(lái)控制電路的通斷。當(dāng)NPN晶體管的基極電流增加�(shí),它的集電極電流也會(huì)增加,從而導(dǎo)致P溝道MOSFET的柵極電壓上升,使其通電。當(dāng)PNP晶體管的基極電流增加�(shí),它的集電極電流也會(huì)增加,從而導(dǎo)致N溝道MOSFET的柵極電壓下降,使其斷電。通過(guò)控制NPN和PNP晶體管的基極電流,可以實(shí)�(xiàn)�(duì)N溝道和P溝道MOSFET的控制�

�(yīng)�

●電源開(kāi)�(guān)
  ●電�(dòng)工具
  ●電�(dòng)�(jī)控制
  ●照明控�

irf7313trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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irf7313trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C29 毫歐 @ 5.8A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds650pF @ 25V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF7313PBFTR