IRF7313TRPBF是一款N溝道和P溝道MOSFET集成在同一芯片上的雙極性晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT)驅(qū)�(dòng)�。它適用于直流至高頻率的�(kāi)�(guān)�(yīng)�,包括電源開(kāi)�(guān)、電�(dòng)工具、電�(dòng)�(jī)控制、照明控制等�(lǐng)�。IRF7313TRPBF具有低開(kāi)啟延�、高�(qū)�(dòng)能力和低靜態(tài)功耗等特點(diǎn),在高效率和高可靠性的�(yīng)用中廣泛使用�
MOSFET是一種半�(dǎo)體器件,由P型或N型半�(dǎo)體材料形成的源極、漏極和柵極組成。在MOSFET�,當(dāng)柵極施加正電壓時(shí),會(huì)在柵極與漏極之間形成一�(gè)電場(chǎng),將P型或N型半�(dǎo)體形成的電子匯集到柵極下�,從而在柵極與源極之間形成一�(gè)�(dǎo)電通道,使得漏極與源極之間的電阻降�,從而導(dǎo)�。當(dāng)柵極施加�(fù)電壓�(shí),電子將被排斥到�(yuǎn)離柵極的區(qū)�,導(dǎo)電通道�(guān)�,MOSFET截止�
IRF7313TRPBF的基本結(jié)�(gòu)包括:源�、漏極和柵極,其中源極和漏極均為N型材�,柵極為P型材�。源極和漏極之間的距離非常短,形成了一�(gè)非常短的�(dǎo)電通道。IRF7313TRPBF的封裝形式為SOT-23,尺寸為2.9mm x 1.3mm x 1.1mm�
●典型的N溝道MOSFET漏極電阻(RDS(on))�11mΩ
●典型的P溝道MOSFET漏極電阻(RDS(on))�19mΩ
●最大承受電壓(VCEO):40V
●最大承受電流(IC):6A
●最大功率(Pd):1.25W
●工作溫度范圍(Tj):-40� ~ +150�
1、雙極性晶體管�(qū)�(dòng)�
2、集成了N溝道和P溝道MOSFET
3、低�(kāi)啟延�
4、高�(qū)�(dòng)能力
5、低靜態(tài)功�
6、高效率和高可靠�
IRF7313TRPBF的工作原理基于雙極性晶體管的工作原�。它由一�(gè)NPN型晶體管和一�(gè)PNP型晶體管組成,可以通過(guò)控制基極電流�(lái)控制電路的通斷。當(dāng)NPN晶體管的基極電流增加�(shí),它的集電極電流也會(huì)增加,從而導(dǎo)致P溝道MOSFET的柵極電壓上升,使其通電。當(dāng)PNP晶體管的基極電流增加�(shí),它的集電極電流也會(huì)增加,從而導(dǎo)致N溝道MOSFET的柵極電壓下降,使其斷電。通過(guò)控制NPN和PNP晶體管的基極電流,可以實(shí)�(xiàn)�(duì)N溝道和P溝道MOSFET的控制�
●電源開(kāi)�(guān)
●電�(dòng)工具
●電�(dòng)�(jī)控制
●照明控�