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IRF7319TR 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/21 19:09:58 查看 閱讀：19

IRF7319TR 是一款雙通道 N 沗道增強(qiáng)型 MOSFET，由 Infineon Technologies（原 International Rectifier）生產(chǎn)。該器件專為需要高效能和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計(jì)，適合用于負(fù)載開關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。IRF7319TR 的兩個(gè) MOSFET 在單一封裝內(nèi)集成，可減少 PCB 占用空間并簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。

參數(shù)

漏源極電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：2.5A（每個(gè)MOSFET）
　　導(dǎo)通電阻：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　柵極電荷：6nC（典型值）
　　總電容：130pF（輸入電容）
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
　　封裝類型：SO-8

特性

IRF7319TR 提供了以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高速開關(guān)性能，得益于較低的柵極電荷 (Qg)，適合高頻應(yīng)用。
　　3. 雙通道集成設(shè)計(jì)，減少外部元件數(shù)量并優(yōu)化 PCB 布局。
　　4. 良好的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定的電氣性能。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子設(shè)備制造要求。
　　6. 封裝小巧，易于焊接和裝配，適合高密度設(shè)計(jì)需求。

應(yīng)用

IRF7319TR 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 移動(dòng)設(shè)備中的電源管理，如智能手機(jī)和平板電腦。
　　2. 筆記本電腦及便攜式電子產(chǎn)品的電池保護(hù)電路。
　　3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 POL（Point of Load）調(diào)節(jié)器。
　　4. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開關(guān)。
　　5. 小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制。
　　6. 數(shù)據(jù)通信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的信號(hào)切換功能。
　　7. 其他需要低功耗和高性能開關(guān)的場(chǎng)景。

替代型號(hào)

IRL7319TR, IRF7347TR

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