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IRF7319TR 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/21 19:09:58 查看 閱讀:19

IRF7319TR 是一款雙通道 N 沗道增強(qiáng)型 MOSFET,由 Infineon Technologies(原 International Rectifier)生產(chǎn)。該器件專為需要高效能和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計(jì),適合用于負(fù)載開關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。IRF7319TR 的兩個(gè) MOSFET 在單一封裝內(nèi)集成,可減少 PCB 占用空間并簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。

參數(shù)

漏源極電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:2.5A(每個(gè)MOSFET)
  導(dǎo)通電阻:4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  柵極電荷:6nC(典型值)
  總電容:130pF(輸入電容)
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
  封裝類型:SO-8

特性

IRF7319TR 提供了以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)性能,得益于較低的柵極電荷 (Qg),適合高頻應(yīng)用。
  3. 雙通道集成設(shè)計(jì),減少外部元件數(shù)量并優(yōu)化 PCB 布局。
  4. 良好的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定的電氣性能。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子設(shè)備制造要求。
  6. 封裝小巧,易于焊接和裝配,適合高密度設(shè)計(jì)需求。

應(yīng)用

IRF7319TR 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 移動(dòng)設(shè)備中的電源管理,如智能手機(jī)和平板電腦。
  2. 筆記本電腦及便攜式電子產(chǎn)品的電池保護(hù)電路。
  3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 POL(Point of Load)調(diào)節(jié)器。
  4. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開關(guān)。
  5. 小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制。
  6. 數(shù)據(jù)通信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的信號(hào)切換功能。
  7. 其他需要低功耗和高性能開關(guān)的場(chǎng)景。

替代型號(hào)

IRL7319TR, IRF7347TR

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