IRF7341G 是一款由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用TOLL封裝形式,具有低導通電阻和高開關速度的特性。IRF7341G廣泛應用于高效能功率轉換領域,如DC-DC轉換器、同步整流電路以及電機驅動等應用中。
這款MOSFET的設計特別注重降低導通損耗和開關損耗,使其非常適合高頻開關應用。其額定電壓為60V,能夠滿足大多數(shù)低壓系統(tǒng)的需求。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:52A
導通電阻(典型值):2.2mΩ
柵極電荷(典型值):87nC
反向恢復時間:35ns
工作結溫范圍:-55℃至175℃
IRF7341G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻 (Rds(on)),可有效減少傳導損耗,提高效率。
2. 高度優(yōu)化的柵極電荷設計,支持高頻開關操作。
3. 超薄封裝形式 TOLL,具備出色的熱性能和電氣性能。
4. 符合汽車級認證標準,適用于嚴苛環(huán)境下的工業(yè)和汽車應用。
5. 支持大電流操作,適合需要高功率輸出的應用場景。
6. 廣泛的工作溫度范圍,確保在極端條件下仍能可靠運行。
IRF7341G 的典型應用包括:
1. DC-DC轉換器中的主開關或同步整流開關。
2. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理模塊。
3. 工業(yè)設備中的電機控制與驅動。
4. 高效能開關電源(SMPS)解決方案。
5. 太陽能微逆變器及儲能系統(tǒng)的功率轉換模塊。
6. 各類需要低損耗和高效率的功率管理電路。
IRFH7341TRPBF, IRF7342G