IRF7341G 時間：2025/4/28 19:32:57 閱讀：34

IRF7341G 是一款由英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件采用TOLL封裝形式，具有低導通電阻和高開關速度的特性。IRF7341G廣泛應用于高效能功率轉換領域，如DC-DC轉換器、同步整流電路以及電機驅動等應用中。
　　這款MOSFET的設計特別注重降低導通損耗和開關損耗，使其非常適合高頻開關應用。其額定電壓為60V，能夠滿足大多數(shù)低壓系統(tǒng)的需求。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：52A
　　導通電阻（典型值）：2.2mΩ
　　柵極電荷（典型值）：87nC
　　反向恢復時間：35ns
　　工作結溫范圍：-55℃至175℃

特性

IRF7341G 具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導通電阻 (Rds(on))，可有效減少傳導損耗，提高效率。
　　2. 高度優(yōu)化的柵極電荷設計，支持高頻開關操作。
　　3. 超薄封裝形式 TOLL，具備出色的熱性能和電氣性能。
　　4. 符合汽車級認證標準，適用于嚴苛環(huán)境下的工業(yè)和汽車應用。
　　5. 支持大電流操作，適合需要高功率輸出的應用場景。
　　6. 廣泛的工作溫度范圍，確保在極端條件下仍能可靠運行。

應用

IRF7341G 的典型應用包括：
　　1. DC-DC轉換器中的主開關或同步整流開關。
　　2. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理模塊。
　　3. 工業(yè)設備中的電機控制與驅動。
　　4. 高效能開關電源（SMPS）解決方案。
　　5. 太陽能微逆變器及儲能系統(tǒng)的功率轉換模塊。
　　6. 各類需要低損耗和高效率的功率管理電路。