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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRF7341GTRPBF

IRF7341GTRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 9:43:57 查看 閱讀�28

IRF7341GTRPBF 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用TOLGA-7封裝,廣泛用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用中�
  IRF7341GTRPBF的設(shè)�(jì)注重低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,使其非常適合高效率、高頻率的電力電子應(yīng)�。其耐壓高達(dá)60V,同�(shí)具有非常低的�(dǎo)通電�,能夠有效減少功率損��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏電流:32A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�29nC
  總電容(Ciss):4840pF
  輸入電容(Ciss):4840pF
  輸出電容(Coss):380pF
  反向傳輸電容(Crss):430pF
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

IRF7341GTRPBF具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,僅�1.5mΩ,這有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能�,最大連續(xù)漏電流為32A,可滿足大功率應(yīng)用的需��
  3. 快速開�(guān)性能,柵極電荷小,僅�29nC,有助于減少開關(guān)損��
  4. 工作溫度范圍寬廣,從-55℃到175�,適用于各種惡劣�(huán)境條��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  6. 熱穩(wěn)定性好,長�(shí)間運(yùn)行下依然保持較高的可靠��
  7. 封裝形式為TO-LGA-7,便于安裝和散熱�

�(yīng)�

IRF7341GTRPBF主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�,包括AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,特別是高性能電機(jī)控制�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
  4. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(shè)備�
  5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 高效功率放大器及音頻功率放大器�
  7. 電動(dòng)�、電�(dòng)工具及其他需要高效率功率管理的場��

替代型號(hào)

IRF7342GTRPBF, IRF7343GTRPBF

irf7341gtrpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf7341gtrpbf參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�3,838�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �17.89000剪切帶(CT�4,000 : �8.17904卷帶(TR�
  • 系列HEXFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N-通道(雙�
  • FET 功能-
  • 漏源電壓(Vdss�55V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)5.1A
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)50 毫歐 @ 5.1A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA(最小)
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)44nC @ 10V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)780pF @ 25V
  • 功率 - 最大�2.4W
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封�8-SO